[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含：

准备构造体的步骤，该构造体具备：衬底；平面状半导体层，形成于该衬底上方；及柱状半导体层，形成于该平面状半导体层上；

第1源极或漏极区域形成步骤，在所述柱状半导体层的下部与所述平面状半导体层形成第1源极或漏极区域；

栅极绝缘膜形成步骤，在所述柱状半导体层周围形成栅极绝缘膜；

栅极电极形成步骤，在该栅极绝缘膜上形成栅极电极以包围该柱状半导体层；

第2漏极或源极区域形成步骤，在所述柱状半导体层的上部形成第2漏极或源极区域；

接触窗阻挡膜形成步骤，在该第2漏极或源极区域形成步骤的结果物上形成接触窗阻挡膜；

接触窗层间膜形成步骤，在该接触窗阻挡膜上形成接触窗层间膜以埋入该接触窗阻挡膜形成步骤的结果物；及

接触窗层形成步骤，在所述第2漏极或源极区域上形成第1接触窗层；

所述接触窗层形成步骤包含：

图案形成步骤，在所述接触窗层间膜上形成与所述第1接触窗层的形成预定区域对应的第1图案；

接触窗孔形成步骤，使用该第1图案将所述接触窗层间膜蚀刻至所述接触窗阻挡膜，借此形成所述第1接触窗层用的第1接触窗孔；及

接触窗阻挡膜去除步骤，通过蚀刻将残存于所述第1接触窗孔的底部的所述接触窗阻挡膜予以去除；

所述第1接触窗孔的底面对于所述衬底的投影面，位于形成于所述柱状半导体层上面及所述柱状半导体层的上部侧面的所述接触窗阻挡膜对于所述衬底的投影形状的外周内。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述接触窗层形成步骤还包含：在所述第1源极或漏极区域上形成第2接触窗层的步骤；

形成所述第2接触窗层的步骤包含：第2图案形成步骤，在所述接触窗层间膜上形成与所述第2接触窗层的形成预定区域对应的第2图案；第2接触窗孔形成步骤，使用该第2图案将所述接触窗层间膜蚀刻至所述接触窗阻挡膜，借此形成所述第2接触窗层用的第2接触窗孔；及接触窗阻挡膜去除步骤，通过蚀刻将残存于所述第2接触窗孔的底部的所述接触窗阻挡膜予以去除；

所述第2接触窗孔形成为所述第2接触窗孔的侧面与所述衬底大致垂直；

所述第1接触窗孔形成为所述第1接触窗孔的侧面的倾斜的平均较所述第2接触窗孔的侧面的倾斜的平均还大。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述接触窗层形成步骤还包含：第2接触窗层形成步骤，在所述第1源极或漏极区域上形成第2接触窗层；及第3接触窗层形成步骤，在从所述栅极电极延伸的栅极配线上形成第3接触窗层；

形成所述第2接触窗层的步骤包含：第2图案形成步骤，在所述接触窗层间膜上形成与所述第2接触窗层的形成预定区域对应的第2图案；第2接触窗孔形成步骤，使用所述第2图案将所述接触窗层间膜蚀刻至所述接触窗阻挡膜，借此形成所述第2接触窗层用的第2接触窗孔；及接触窗阻挡膜去除步骤，通过蚀刻将残存于所述第2接触窗孔的底部的所述接触窗阻挡膜予以去除；

形成所述第3接触窗层的步骤包含：第3图案形成步骤，在所述接触窗层间膜上形成与所述第3接触窗层的形成预定区域对应的第3图案；第3接触窗孔形成步骤，使用所述第3图案将所述接触窗层间膜蚀刻至所述接触窗阻挡膜，借此形成所述第3接触窗层用的第3接触窗孔；及接触窗阻挡膜去除步骤，通过蚀刻将残存于所述第3接触窗孔的底部的所述接触窗阻挡膜予以去除；

所述第2接触窗孔形成为所述第2接触窗孔的侧面与所述衬底大致垂直；

所述第3接触窗孔形成为所述第3接触窗孔的侧面与所述衬底大致垂直；

所述第1接触窗孔形成为所述第1接触窗孔的侧面的倾斜的平均较所述第2接触窗孔的侧面的倾斜的平均还大。