[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一金属线和第二金属线，其布置在限定晶体管的基板上，在所述第一金属线和所述第二金属线之间限定有凹陷部；

绝缘层，其共形地形成在所述凹陷部内；以及

屏蔽线，其布置在所述第一金属线与所述第二金属线之间并布置在所述凹陷部内，所述绝缘层将所述屏蔽线与以下金属线电隔离：即，所述第一金属线和所述第二金属线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述屏蔽线包括钨。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述绝缘层包括氮化物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述金属线包括：

金属膜，其包括铝和铜中任一者；以及

阻挡金属膜，其包括氮化钛并设置在所述金属膜与所述绝缘层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

层间介电层，其布置在所述第一金属线的下方；

蚀刻停止层，其布置在所述层间介电层与所述第一金属线之间；以及

氧化物膜，其布置在所述蚀刻停止层与所述第一金属线之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

所述氧化物膜的厚度与所述绝缘层的厚度大致相等。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述屏蔽线电连接至接地电压。

8.一种半导体器件的制造方法，包括：

在基板上形成第一金属线和第二金属线并在所述第一金属线和所述第二金属线之间限定凹陷部；

在所述第一金属线和所述第二金属线上并在所述凹陷部内共形地形成绝缘层；以及

在所述第一金属线与所述第二金属之间并在所述凹陷部内形成屏蔽线，所述绝缘层将所述屏蔽线与以下金属线分隔开：即，所述第一金属线和所述第二金属线。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述第一金属线和所述第二金属线是互连电路，形成所述第一金属线和所述第二金属线的步骤包括：

在所述基板上形成下阻挡金属膜、金属膜和上阻挡金属膜，所述金属膜形成在所述下阻挡金属膜与所述上阻挡金属膜之间；以及

蚀刻所述上阻挡金属膜、所述金属膜和所述下阻挡金属膜以形成所述第一金属线和所述第二金属线。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

所述上阻挡金属膜和所述下阻挡金属膜均包括氮化钛膜，并且所述金属膜包括钨膜。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，

形成所述屏蔽线的步骤包括：

在包括所述第一金属线和所述第二金属线在内的所述绝缘层上沉积屏蔽线材料，所述屏蔽线材料设置在所述凹陷部中；

对沉积的屏蔽线材料的上部进行蚀刻，以使所述绝缘层露出并限定所述屏蔽线；以及

在所述绝缘层和所述屏蔽线上形成层间介电层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

对所述屏蔽线材料的上部进行蚀刻的步骤包括：

借助于化学机械抛光工序将所述屏蔽线材料平坦化；以及

借助于回蚀工序蚀刻余留的屏蔽线材料。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述基板与以下金属线之间形成包括氮化钛的阻挡金属膜：即，所述第一金属线和所述第二金属线。

14.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述基板上形成层间介电层；

在所述层间介电层上形成蚀刻停止层；以及

在所述蚀刻停止层上形成氧化物膜。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，

所述氧化物膜的厚度与所述绝缘层的厚度大致相等。

16.根据权利要求8所述的方法，其中，

形成所述屏蔽线的步骤包括：

将所述屏蔽线电连接至接地电压。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，

所述绝缘层形成在所述第一金属线和所述第二金属线的顶面和侧壁上以及所述蚀刻停止层的顶面上。