[发明专利]一种半导体芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括正反面均具有图纹的硅片(1)，其特征在于：在所述硅片(1)的正、反两面均涂覆有焊膏层(2)。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于：所述焊膏层(2)的厚度在10um～200um范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于：所述焊膏层(2)是ES660焊膏或ES500焊膏。

4.一种制备如权利要求1所述的半导体芯片的制备方法，以经双面光刻的半导体圆片为加工对象，包括划片步骤，其特征在于：在划片步骤之前，还包括双面涂覆焊膏层步骤；所述双面涂覆焊膏层步骤是，将所述半导体圆片，放入印刷机的固定平台，覆盖钢网，并对准图形，使用印刷机将焊膏涂覆在所述圆片上表面，然后取出圆片，并放入烘箱内烘干，使圆片上表面的焊膏层硬化；然后翻转所述半导体圆片，放入印刷机的固定平台，覆盖钢网，并对准图形，使用印刷机将焊膏涂覆在圆片下表面，然后取出圆片，并放入烘箱内烘干，使圆片下表面的焊膏层硬化，完成双面涂覆焊膏层的步骤；然后，将涂覆有焊膏层的所述半导体圆片，通过划片步骤后即制成双面都具有焊膏层的半导体芯片。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述焊膏层的厚度控制在10um～200um范围内。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述双面涂覆有焊膏层的所述圆片，在烘箱内烘干的时间为2～12分钟，且其温度控制在110～125℃范围内。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述烘箱是红外线烘箱。