[发明专利]一种半导体芯片及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于微电子器件制造领域，具体涉及一种半导体芯片及其制备方法。

背景技术

目前，电器行业朝着高集成、高电压、大功率、微型化的方向发展。现有的半导体芯片表面不具有焊膏层，需通过焊片与引线框架焊接为一体。由于半导体芯片以及引线框架微型化，装配和焊接的难度大；而采用表面不具有焊膏层的半导体芯片表面易氧化，甚至对其表面的致密性也有一定的影响，且半导体芯片与引线框架焊接后，两者之间有可能会产生空焊点，使得焊接后的密封性差，可靠性低。

发明内容

本发明的目的是：提供一种抗氧化、可靠性高的一种半导体芯片及其制备方法。

实现本发明目的的技术方案是：一种半导体芯片，包括正反面均具有图纹的硅片，其创新点在于，在所述硅片的正、反两面均涂覆有焊膏层。

在上述的半导体芯片结构中，所述焊膏层的厚度在10um～200um范围内。

在上述的半导体芯片结构中，所述焊膏层是ES660焊膏或ES500焊膏。

由以上所给出的本发明半导体芯片的技术方案可以明了，由于焊膏层的存在，所述芯片表面不易氧化，且为后续焊接工艺提供了方便。

一种制备上述半导体芯片的制备方法，以经双面光刻的半导体圆片为加工对象，包括划片步骤，其创新点在于，在划片步骤之前，还包括双面涂覆焊膏层步骤；所述双面涂覆焊膏层是，将所述半导体圆片，放入印刷机的固定平台，覆盖钢网，并对准图形，使用印刷机将焊膏涂覆在所述圆片上表面，然后取出圆片，并放入烘箱内烘干，使圆片上表面的焊膏层硬化；然后翻转所述半导体圆片，放入印刷机的固定平台，覆盖钢网，并对准图形，使用印刷机将焊膏涂覆在圆片下表面，然后取出圆片，并放入烘箱内烘干，使圆片下表面的焊膏层硬化，完成双面涂覆焊膏层的步骤。

在上述的制备方法中，所述焊膏层的厚度控制在10um～200um范围内。其中所述焊膏层的厚度，可以通过钢网厚度的调整而实现。

在上述的制备方法中，所述双面涂覆有焊膏层的所述圆片，在烘箱内烘干的时间为2～12分钟，且其温度控制在110～125℃范围内。

在上述的制备方法中，所述烘箱是红外线烘箱。当然，也可以采用电加热或热风烘干的方法，使得半导体芯片的正、反面的焊膏层硬化固着，然而采用远红外烘箱，可保证焊膏层烘干的均匀性更好，而电加热或热风烘干，则焊膏层烘干的均匀性差，有可能会出现焊膏层表面烘枯的现象，因而本发明优先选用红外线烘箱烘干。

本发明所述的半导体圆片，指的是经过双面光刻且未划片的圆片。

本发明制备方法的技术效果是：工艺简单可行、焊膏层涂覆固着效果好，可以有效防止半导体芯片的表面氧化，提高半导体芯片表面的致密性，且直接与引线框架焊接，不要焊片焊接，工艺难度大大降低，可靠性高。

附图说明

图1是本发明半导体芯片的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图及实施例，对本发明作进一步的详细说明，但不局限于此。

实施例所用原料除另有说明外，均为半导体行业常规使用的原料且均为市售品。其中所用的焊膏是深圳晨日科技有限公司市供的ES660焊膏或ES500焊膏。

实施例1：如附图1所示。一种半导体芯片，包括正反面均具有图纹的硅片1，在所述硅片1的正、反两面均涂覆有焊膏层2，其中，所述焊膏层2的厚度在10um～200um范围内。

实施例2：一种制备如实施例1所述半导体芯片的制备方法，以经双面光刻的半导体圆片为加工对象，包括划片步骤，在划片步骤之前，还包括双面涂覆焊膏层步骤；所述双面涂覆焊膏层步骤是，将所述半导体圆片，放入印刷机的固定平台，覆盖钢网，并对准图形，使用印刷机将焊膏涂覆在圆片上表面，焊膏层的厚度控制在10um～200um范围内，然后取出圆片，并放入红外线烘箱内烘干，时间为2～12分钟，且其温度控制在110～125℃范围内，使圆片上表面的焊膏层硬化固着；然后翻转所述半导体圆片，放入印刷机的固定平台，覆盖钢网，并对准图形，使用印刷机将焊膏涂覆在圆片下表面，焊膏层的厚度控制在10um～200um范围内，然后取出圆片，并放入红外线烘箱内烘干，在烘箱内烘干的时间为2～12分钟，且其温度控制在110～125℃范围内，使圆片下表面的焊膏层硬化固着，完成双面涂覆焊膏层的步骤。

然后，将涂覆有焊膏层的所述半导体圆片，通过划片步骤后即制成双面都具有焊膏层的半导体芯片。