[发明专利]半导体元件与其形成方法有效
| 申请号： | 201010260686.X | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102208443A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 吴志强;许俊豪;张志豪;谢文兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 与其 形成 方法 | ||
1.一种半导体元件，包括：
一基板；
一栅极位于该基板上；以及
一源极/漏极区位于该栅极相反的两侧，该源极/漏极区包括一应力诱导区，与位于该应力引发区上的一应力区，该应力区是一半导体材料，且该应力诱导区的材料不同于该基板与该应力区。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该应力诱导区的晶格结构大于该应力区的晶格结构，且其中该半导体元件是一NMOS元件。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该应力诱导区的晶格结构小于该应力区的晶格结构，且其中该半导体元件是一PMOS元件。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该应力诱导区与该应力区的电性相反。
5.如权利要求1项所述的半导体元件，其中该半导体元件是FinFET或平面晶体管。
6.一种半导体元件的形成方法，包括：
提供一基板；
形成一栅极于该基板上；
形成一凹陷于该栅极相反两侧的基板中；
沿着该凹陷底部形成一应力诱导区；以及
形成一应力区于该应力诱导区上。
7.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，其中该应力诱导区的晶格结构大于该应力区的晶格结构，且该半导体元件是一NMOS元件。
8.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，其中该应力诱导区的晶格结构小于该应力区的晶格结构，且该半导体元件是一PMOS元件。
9.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，其中该应力诱导区与该应力区的电性相反。
10.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，其中该应力诱导区的表面不受应力诱导区与该基板之间的晶格不匹配影响，且该应力诱导区的表面不具有错位。
11.一种半导体元件的形成方法，包括：
提供一基板，其中该基板具有一鳍状物延伸自一基板，以及绝缘区位于该鳍状物的相反两侧；
使至少部分该鳍状物凹陷至该绝缘区上表面的下方；
沿着该凹陷后的鳍状物的上表面形成一应力诱导区；以及
形成一应力鳍状物于该应力诱导区上。
12.如权利要求11所述的半导体元件的形成方法，其中该应力诱导区的晶格结构大于该应力鳍状物的晶格结构，且该半导体元件是一NMOS元件。
13.如权利要求11所述的半导体元件的形成方法，其中该应力诱导区的晶格结构小于该应力鳍状物的晶格结构，且该半导体元件是一PMOS元件。
14.如权利要求11所述的半导体元件的形成方法，其中该应力诱导区与该应力鳍状物分别以相反电性的掺质掺杂。
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