[发明专利]生产发光设备的方法有效
| 申请号： | 201010261067.2 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101950734A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 前田强;松本友孝 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L51/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生产 发光 设备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生产发光设备的方法，所述方法包括：
形成具有反射性质的金属层；
将所述金属层构图为反射层；
用光透射绝缘保护膜覆盖所述反射层的顶部表面和侧表面；
在所述光透射绝缘保护膜上形成导电材料膜；以及
将所述导电材料膜构图成阳极。
2.根据权利要求1所述的方法，多次重复执行形成所述导电材料膜并对所述导电材料膜进行构图的步骤，以形成不同厚度的阳极。
3.根据权利要求1所述的方法，所述光透射绝缘保护膜填充相邻反射层之间的内反射层间隔。
4.根据权利要求3所述的方法，多次重复执行形成所述导电材料膜并对所述导电材料膜进行构图的步骤，以形成不同厚度的阳极。
5.根据权利要求1所述的方法，所述光透射绝缘保护膜覆盖所有的反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
