[发明专利]减小写入干扰的分离栅闪存制作方法有效
| 申请号： | 201010261549.8 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376652A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 周儒领;李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减小 写入 干扰 分离 闪存 制作方法 | ||
1.一种减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成栅氧化层；
在所述栅氧化层上形成浮栅多晶硅层；
在所述浮栅多晶硅层上形成电介质层；
在所述电介质层上形成控制栅多晶硅层；
形成控制栅、浮栅步骤，光刻并刻蚀形成控制栅和浮栅；
形成擦除栅和字线；
进行轻掺杂离子注入，包括垂直轻掺杂步骤和口袋离子注入步骤，其中所述口袋离子注入步骤是将离子束以倾斜的角度打入所述字线下方的半导体衬底中。
2.如权利要求1所述的减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，其特征在于，在所述进行轻掺杂离子注入步骤中，所述垂直轻掺杂步骤的掺杂类型为磷或砷。
3.如权利要求1所述的减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，其特征在于，在所述进行轻掺杂离子注入步骤中，所述倾斜的角度为20°至70°。
4.如权利要求1所述的减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，其特征在于，在所述进行轻掺杂离子注入步骤中，所述倾斜的角度为30°。
5.如权利要求1所述的减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，其特征在于，在所述进行轻掺杂离子注入步骤中，所述离子束的掺杂类型为硼。
6.如权利要求1所述的减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，其特征在于，所述离子束的掺杂为硼离子或二氟化硼。
7.如权利要求1所述的减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，其特征在于，所述离子束掺杂物的掺杂浓度为3*1013个/cm2。
8.如权利要求1所述的减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，其特征在于，所述浮栅多晶硅层的厚度为
9.如权利要求1所述的减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，其特征在于，所述控制栅多晶硅层的厚度为
10.如权利要求1所述的减小写入干扰的分离栅闪存制作方法，其特征在于，所述电介质层为氧化硅-氮化硅-氧化硅三层结构。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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