[发明专利]双镶嵌结构及其制造方法

权利要求书

1.一种双镶嵌结构的制造方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一低介电常数介质层以及形成于所述第一低介电常数介质层中的沟槽和通孔；

在所述第一低介电常数介质层上以及所述沟槽和通孔内形成金属材料；

利用化学机械研磨工艺去除第一低介电常数介质层上的金属材料，该化学机械研磨工艺在第一低介电常数介质层表面形成部分损伤的第一介质层；

去除所述损伤的第一介质层；

在剩余的第一低介电常数介质层上形成第二低介电常数介质层。

2.如权利要求1所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述损伤的第一介质层是利用湿法刻蚀工艺去除的。

3.如权利要求2所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述第一低介电常数介质层的材料为掺氟的氧化硅、掺碳的氧化硅或掺氮的碳化硅中的一种或其组合。

4.如权利要求3所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺所使用的刻蚀液体是稀释的氢氟酸。

5.如权利要求4所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀时间为10秒～600秒。

6.如权利要求1所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述第二低介电常数介质层的厚度大于等于所述损伤的第一介质层的厚度。

7.如权利要求6所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述损伤的第一介质层的厚度为所述第二低介电常数介质层的厚度为

8.如权利要求1所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，去除所述损伤的第一介质层之后，还包括：去除部分厚度的未损伤的第一介质层。

9.如权利要求1所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述第二低介电常数介质层的材料为掺氟的氧化硅、掺碳的氧化硅或掺氮的碳化硅中的一种或其组合。

10.如权利要求9所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述第二低介电常数介质层是利用化学气相沉积的方式形成的。

11.如权利要求1所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述第二低介电常数介质层的材料为有机聚合物。

12.如权利要求11所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述第二低介电常数介质层是利用旋涂方式形成的。

13.如权利要求1所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有阻挡层，所述第一低介电常数介质层覆盖阻挡层的表面。

14.如权利要求1所述的双镶嵌结构的制造方法，其特征在于，所述第一低介电常数介质层的表面还形成有保护层，所述保护层在利用化学机械研磨工艺去除第一低介电常数介质层上的金属材料的步骤中被去除。

15.一种双镶嵌结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底上的第一低介电常数介质层，所述第一低介电常数介质层未损伤；

位于所述第一低介电常数介质层上的第二低介电常数介质层；

贯穿第一低介电常数介质层和第二低介电常数介质层的通孔和沟槽；

填充在所述通孔和沟槽内的金属层。