[发明专利]涂敷显影装置和涂敷显影方法有效
申请号: | 201010262585.6 | 申请日: | 2010-08-24 |
公开(公告)号: | CN101996867A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 松冈伸明 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/68;G03F7/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显影 装置 方法 | ||
1.一种涂敷显影装置,其将利用载体搬入到载体块的基板交接至处理部,在由所述处理部形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜之后,经由接口块搬送至曝光装置,由所述处理部对经由所述接口块送回的曝光后的基板进行显影处理,并交接至所述载体块,该涂敷显影装置的特征在于:
具有液体处理单元,
该液体处理单元包括:使用药液对基板进行液体处理的液体处理部;
与所述液体处理部对应设置,对基板进行冷却处理的冷却处理部;和
与所述冷却处理部对应设置,对基板进行加热处理的加热处理部,
所述冷却处理部具有在其与所述液体处理部之间以及与所述加热处理部之间搬送基板的基板搬送功能。
2.如权利要求1所述的涂敷显影装置,其特征在于:
所述冷却处理部与所述液体处理部相邻,
所述加热处理部与所述冷却处理部相邻。
3.如权利要求2所述的涂敷显影装置,其特征在于:
所述液体处理部、所述冷却处理部和所述加热处理部依次排列在一条直线上。
4.如权利要求3所述的涂敷显影装置,其特征在于:
具有多个所述液体处理单元。
5.如权利要求4所述的涂敷显影装置,其特征在于:
多个所述液体处理单元在同一平面内并排配置。
6.如权利要求4或5所述的涂敷显影装置,其特征在于:
多个所述液体处理单元上下重叠配置。
7.如权利要求1~6中任一项所述的涂敷显影装置,其特征在于:
所述加热处理部具有保持基板并对其进行加热处理的多个热板,
所述热板上下重叠配置。
8.如权利要求1~7中任一项所述的涂敷显影装置,其特征在于:
所述冷却处理部具有保持基板并对其进行冷却处理的冷却板,
所述冷却板在其与所述液体处理部之间以及与所述加热处理部之间进行基板的交接。
9.如权利要求1~7中任一项所述的涂敷显影装置,其特征在于:
所述冷却处理部具有保持基板并对其进行冷却处理的冷却板,和保持基板的保持板,
所述冷却板在其与所述加热处理部之间进行基板的交接,所述保持板在其与所述液体处理部之间进行基板的交接。
10.如权利要求8或9所述的涂敷显影装置,其特征在于:
所述冷却板设置为在所述液体处理单元的所述液体处理部、所述冷却处理部和所述加热处理部排列的方向以及上下方向能够移动。
11.如权利要求1~10中任一项所述的涂敷显影装置,其特征在于:
所述液体处理单元具有切换成多种药液的任一种并将其供给至所述液体处理部的药液供给部。
12.如权利要求11所述的涂敷显影装置,其特征在于:
所述药液供给部具有与所述多种药液对应设置的多个喷嘴。
13.如权利要求1~6中任一项所述的涂敷显影装置,其特征在于:
具有前处理单元,其与所述液体处理单元对应设置,对在所述液体处理单元进行处理的基板进行前处理。
14.如权利要求1~13中任一项所述的涂敷显影装置,其特征在于:
具有后处理单元,其与所述液体处理单元对应设置,对在所述液体处理单元中进行了处理的基板进行后处理。
15.如权利要求1~14中任一项所述的涂敷显影装置,其特征在于,包括:
将基板搬入搬出所述液体处理单元的搬入搬出单元;和
在所述液体处理单元的所述搬入搬出单元侧,在与所述液体处理单元之间进行基板的交接的第一缓冲单元。
16.如权利要求15中任一项所述的涂敷显影装置,其特征在于:
在所述液体处理单元的所述搬入搬出单元的相反侧,具有在与所述液体处理单元之间进行基板的交接的第二缓冲单元。
17.如权利要求1~16中任一项所述的涂敷显影装置,其特征在于:
所述液体处理部对基板进行药液的涂敷处理。
18.如权利要求1~16中任一项所述的涂敷显影装置,其特征在于:
所述液体处理部使用显影液对基板进行显影处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造