[发明专利]涂敷显影装置和涂敷显影方法

说明书

技术领域

本发明涉及使用药液对基板进行液体处理的涂敷显影装置和涂敷显影方法。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中的光刻工序中，对半导体基板(以下称为“基板”或“晶片”)的表面进行疏水化处理之后，涂敷BARC(Bottom Anti-Reflective Coating，底部抗反射涂层)并进行加热处理，涂敷抗蚀剂并进行加热处理，进行曝光处理，对可溶化的部分进行显影处理从而除去，由此形成微细的抗蚀剂图案。

此处，在抗蚀剂图案的曝光前的工序中，连续进行涂敷BARC的涂敷处理、用于使涂敷的BARC液体内的溶剂蒸发的加热处理(预烘焙)、冷却处理(cooling)、在冷却的晶片上涂敷抗蚀剂的抗蚀剂涂敷处理、用于使涂敷的抗蚀剂液体内的溶剂蒸发的加热处理(预烘焙)等各种处理。此外，在抗蚀剂图案的曝光后的工序中，进行用于促进晶片上的抗蚀剂膜的化学反应的加热处理(曝光后烘焙)、冷却处理(cooling)、向冷却后的晶片供给显影液进行显影处理等的各种处理。

在这样进行半导体晶片的涂敷处理和显影处理的涂敷显影装置中，近年来，因为伴随晶片的大口径化(对应为450mm)各处理单元大型化，导致装置整体的所占空间增大。

此外，为了削减成本，优选增大每单位时间的晶片处理能力。因此，在一个涂敷显影装置中包含多个处理单元，装置整体的所占空间进一步增大。

作为这样的涂敷显影装置，有从盒体侧向曝光装置侧在两侧配置各种处理单元，在中央配置共用的晶片搬送臂的结构(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2003-7795号公报

但是，上述涂敷显影装置具有以下的问题。

在中央配置共用的晶片搬送臂的情况下，在两侧的上下多段中配置的处理单元间进行晶片的交接的次数较多，晶片搬送臂的移动距离变长，存在处理时间增大，不能够使得每单位时间的晶片处理个数增大的问题。

此外，因为在中央仅存在一个晶片搬送臂，所以难以共用化、集合具有以处理某一特定的晶片为目的的功能的各处理单元，存在不能够削减所占空间的问题。

发明内容

本发明鉴于上述问题而提出，提供能够使晶片搬送臂的移动距离变短，缩短处理时间，减小所占空间的涂敷显影装置和涂敷显影方法。

为了解决上述问题，本发明的特征在于以下内容。

本发明提供一种涂敷显影装置，其将利用载体搬入载体块的基板交接至处理部，在由上述处理部形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜之后，经由接口块搬送至曝光装置，将经由上述接口块送回的曝光后的基板由上述处理部进行显影处理，并交接至上述载体块，该涂敷显影装置的特征在于，具有液体处理单元，该液体处理单元包括：使用药液对基板进行液体处理的液体处理部；与上述液体处理部对应设置，对基板进行冷却处理的冷却处理部；和与上述冷却处理部对应设置，对基板进行加热处理的加热处理部，上述冷却处理部具有在其与上述液体处理部之间以及与上述加热处理部之间搬送基板的基板搬送功能。

此外，本发明提供一种涂敷显影方法，其将利用载体搬入载体块的基板交接至处理机构，在由上述处理机构形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜之后，经由接口块搬送至曝光装置，将经由上述接口块送回的曝光后的基板由上述处理机构进行显影处理，并交接至上述载体块，该涂敷显影方法的特征在于，具有：利用液体处理机构使用药液对基板进行液体处理的液体处理工序；利用与上述液体处理机构对应设置的冷却处理机构对基板进行冷却处理的冷却处理工序；和利用与上述冷却处理机构对应设置的加热处理机构对基板进行加热处理的加热处理工序，上述冷却处理机构具有在其与上述液体处理机构之间以及与上述加热处理机构之间搬送基板的基板搬送功能。

根据本发明，在对基板进行液体处理的涂敷显影装置中，能够使晶片搬送臂的移动距离变短，缩短处理时间，使所占空间变小。

附图说明

图1是表示实施方式的涂敷显影装置的结构的概要平面图。

图2是表示实施方式的涂敷显影装置的结构的概要正面图。

图3是表示实施方式的涂敷处理单元的结构的概要平面图。

图4是表示实施方式的涂敷处理单元的结构的概要正面图。

图5是用于说明实施方式的涂敷显影装置中的冷却处理部的冷却板能够在涂敷处理部与加热处理部之间移动的情况的概要立体图。

图6是用于说明实施方式的涂敷显影装置中的冷却处理部的冷却板能够在涂敷处理部与加热处理部之间移动的情况的概要立体图。