[发明专利]一种Super Junction VDMOS器件无效
| 申请号： | 201010264774.7 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101950759A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;胡涛;邓光平;钱振华;洪辛;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/47 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 super junction vdmos 器件 | ||
1.一种Super Junction VDMOS器件，包括N+衬底(2)、位于N+衬底(2)背底表面的金属漏极(1)、位于N+衬底(2)表面的Super Junction结构、多晶硅栅电极(9)和金属源电极(10)；所述Super Junction结构由两个P型柱区(3)中间夹一个N型柱区(4)形成；Super Junction结构顶部两侧分别具有一个P型基区(5)，P型基区(5)分别与P型柱区(3)和N型柱区(4)接触；两个P型基区(5)中分别具有N+源区(6)和P+体区(7)；所述多晶硅栅电极(9)位于P型基区(5)和N型柱区(4)的上方，与P型基区(5)和N型柱区(4)之间通过栅氧化层相绝缘；所述金属源电极(10)位于器件的最上层，两端分别与两个P型基区(5)中的N+源区(6)和P+体区(7)相接触，与多晶硅栅电极(9)之间通过隔离介质(8)相绝缘；其特征在于，所述多晶硅栅电极(9)在N型柱区(4)上方分成两段；所述金属源电极(10)在两段多晶硅栅电极(9)之间的区域向下延伸进N型柱区(4)，并在与N型柱区(4)相接触的表面形成沟槽式肖特基接触结构(11)。
2.根据权利要求1所述的Super Junction VDMOS器件，其特征在于，所述金属源电极(10)两端与两个P型基区(5)中的N+源区(6)和P+体区(7)相欧姆接触的部分为沟槽式结构，该沟槽式欧姆接触结构向下延伸进N+源区(6)和P+体区(7)。
3.根据权利要求2所述的Super Junction VDMOS器件，其特征在于，所述沟槽式欧姆接触结构向下延伸进N+源区(6)和P+体区(7)，并延伸进P型基区(5)。
4.根据权利要求1至3中任一所述Super Junction VDMOS器件，其特征在于，所述沟槽式肖特基接触结构(11)的肖特基势垒高度、槽的深度、槽的长度根据器件所要求的导通特性以及寄生体二极管的反向恢复特性进行调节。
5.根据权利要求1至3中任一所述Super Junction VDMOS器件，其特征在于，所述沟槽式肖特基接触结构(11)通过刻槽和金属淀积工艺实现。
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