[发明专利]像素阵列基板、导电结构以及显示面板有效
申请号: | 201010267094.0 | 申请日: | 2010-08-27 |
公开(公告)号: | CN101969063A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 叶财记;陈执群;彭文辉;黄婷薰;许胜允 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/52;G02F1/1362;G02F1/13;G02F1/167 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 导电 结构 以及 显示 面板 | ||
1.一种像素阵列基板,其特征在于,包括:
一基板,其具有一显示区以及一非显示区;
一像素阵列,位于该显示区内;
多条第一引线,其与该像素阵列电性连接,并且由该显示区延伸至该非显示区;
多个第一接垫,位于该非显示区内,其中每一第一接垫与对应的一条第一引线电性连接;
一第一绝缘层,覆盖这些第一引线且暴露出这些第一接垫;
多条第二引线,位于该第一绝缘层上且与该像素阵列电性连接,并且由该显示区延伸至该非显示区;
多个第二接垫,位于该非显示区内且设置于该第一绝缘层上,其中每一第二接垫与对应的一条第二引线电性连接,
其中每一第一接垫与水平方向上的邻近的第二接垫之间的距离为10~20um。
2.根据权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,每一第一接垫与邻近的第二接垫之间相距10~15um。
3.根据权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,这些第一引线与这些第二引线彼此大体上平行。
4.根据权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,这些第一引线与这些第二引线彼此至少部分重叠设置。
5.根据权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,这些第一接垫与这些第二接垫在垂直方向上排列成一直线,且这些第一接垫与这些第二接垫在水平方向上也排列成一直线。
6.根据权利要求5所述的像素阵列基板,其特征在于,还包括:
至少一驱动芯片,位于该基板的该非显示区中,其中该驱动芯片上具有多个导电凸块,且这些导电凸块与这些第一接垫及这些第二接垫电性连接。
7.根据权利要求6所述的像素阵列基板,其特征在于,这些导电凸块具有至少一斜角结构。
8.根据权利要求6所述的像素阵列基板,其特征在于,还包括一异方性导电胶,位于该驱动芯片的这些导电凸块与这些第一接垫与这些第二接垫之间。
9.根据权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,这些第一接垫与这些第二接垫分别具有一长度以及一宽度,该长度介于40~120um,且该宽度介于12~26um。
10.根据权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,这些第一、第二接垫与这些第一、第二引线不重叠。
11.根据权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,这些第一接垫与这些第二接垫轮流交替设置。
12.根据权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,还包括一第二绝缘层,位于该第一绝缘层上,该第二绝缘层覆盖这些第二引线且暴露出这些第一接垫以及这些第二接垫。
13.一种导电结构,其特征在于,包括:
一第一接垫;
一第一引线,其与该第一接垫电性连接;
一第一绝缘层,覆盖该第一引线且暴露出该第一接垫;
一第二接垫,位于该第一绝缘层上;以及
一第二引线,位于该第一绝缘层上且与该第二接垫电性连接,其中该第一、第二引线位于该第一接垫与该第二接垫之间,且该第一接垫与该第二接垫之间相距10~20um。
14.根据权利要求13所述的导电结构,其特征在于,每一第一接垫与邻近的第二接垫之间相距10~15um。
15.根据权利要求13所述的导电结构,其特征在于,该第一引线与该第二引线彼此大体上平行。
16.根据权利要求13所述的导电结构,其特征在于,该第一引线与该第二引线彼此至少部分重叠设置。
17.根据权利要求13所述的导电结构,其特征在于,该第一接垫与该第二接垫分别具有一长度以及一宽度,该长度介于40~120um,且该宽度介于12~26um。
18.根据权利要求13所述的导电结构,其特征在于,还包括一第二绝缘层,位于该第一绝缘层上,该第二绝缘层覆盖该第二引线且暴露出该第一接垫以及该第二接垫。
19.一种显示面板,其特征在于,包括:
一像素阵列基板,其如权利要求1所述;
一对向基板,位于该像素阵列基板的对向;以及
一显示介质,位于该像素阵列基板与该对向基板之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的