[发明专利]改善双应力氮化物表面形态的方法有效
| 申请号： | 201010267561.X | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376646A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 应力 氮化物 表面 形态 方法 | ||
1.一种改善双应力氮化物表面形态的方法，包括步骤：
a)提供衬底，在所述衬底上形成通过浅隔离沟槽隔开的PMOS晶体管和NMOS晶体管；
b)在所述PMOS晶体管和NMOS晶体管上沉积刻蚀停止层氧化物；
c)在所述NMOS晶体管上的刻蚀停止层氧化物上沉积张应力氮化物；
d)对所述张应力氮化物的表面进行等离子体处理；
e)在所述处理后的张应力氮化物和PMOS晶体管上沉积压应力氮化物；
g)去除所述NMOS上的压应力氮化物；
h)使用H3PO4湿法刻蚀所述张应力与压应力氮化物的表面边界。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理是N2O或O2或O3处理。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层氧化物的材料为二氧化硅。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层氧化物的沉积方法是次常压化学气相沉积法、低压化学气相沉积法或等离子体化学气相沉积法。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层氧化物沉积的厚度为50～150埃。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述张应力氮化物的材料为氮化硅。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述张应力氮化物的厚度为400～650埃。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述张应力氮化物的应力1.5～2.0GPa。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用等离子体处理在所述张应力氮化物的表面形成氧化硅薄层，其厚度小于100埃。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压应力氮化物的沉积方法是等离子体化学气相沉积法。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压应力氮化物的材料为氮化硅。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压应力氮化物的沉积的厚度为400埃～800埃。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压应力氮化物的应力-2.5～-3.5GPa。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述H3PO4酸的温度为150℃～170℃。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述H3PO4酸的浓度为85％。
16.一种包含通过根据权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步动态随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式动态随机存取存储器和射频电路其中至少一种。
17.一种包含通过根据权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机、数码相机和手机其中至少一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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