[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201010267763.4 | 申请日: | 2010-08-31 |
公开(公告)号: | CN102208211A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 高在范;边相镇 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;黄启行 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
个体芯片指定码设置模块,所述个体芯片指定码设置模块被配置为响应于多个芯片熔丝信号来产生多个个体芯片指定码,所述多个个体芯片指定码具有不同的编码值,或者所述多个个体芯片指定码中的至少两个具有相同的编码值;
个体芯片激活模块,所述个体芯片激活模块被配置为响应于所述多个芯片熔丝信号来将所述多个个体芯片指定码与芯片选择地址进行比较,并基于比较结果将多个个体芯片激活信号中的一个激活。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述个体芯片指定码设置模块被配置为当所述多个芯片熔丝信号全部被使能时,产生具有不同编码值的所述多个个体芯片指定码,以及
所述个体芯片指定码设置模块被配置为响应于所述多个芯片熔丝信号中被禁止的芯片熔丝信号,确定具有相同编码值的个体芯片指定码的数量。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,
所述多个个体芯片指定码包括第一个体芯片指定码、第二个体芯片指定码、第三个体芯片指定码和第四个体芯片指定码,以及
所述个体芯片指定码设置模块被配置为当所述多个芯片熔丝信号全部被使能时,设置所述第一至第四个体芯片指定码的各自的编码值顺序地增大或顺序地减小。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述多个芯片熔丝信号包括第一芯片熔丝信号、第二芯片熔丝信号、第三芯片熔丝信号和第四芯片熔丝信号,
当所述第一芯片熔丝信号被禁止时,所述个体芯片指定码设置模块将所述第一个体芯片指定码初始化,
当所述第二芯片熔丝信号被禁止时,所述个体芯片指定码设置模块产生具有与所述第一个体芯片指定码相同编码值的所述第二个体芯片指定码,
当所述第三芯片熔丝信号被禁止时,所述个体芯片指定码设置模块产生具有与所述第二个体芯片指定码相同编码值的所述第三个体芯片指定码,以及
当所述第四芯片熔丝信号被禁止时,所述个体芯片指定码设置模块产生具有与所述第三个体芯片指定码相同编码值的所述第四个体芯片指定码。
5.如权利要求4所述的半导体装置,其中,所述个体芯片指定码设置模块包括:
个体芯片指定地址设置单元,所述个体芯片指定地址设置单元被配置为响应于所述第一至第四芯片熔丝信号来产生第一指定地址至第四指定地址;以及
编码单元,所述编码单元被配置为对所述第一指定地址至所述第四指定地址进行编码,并产生所述第一个体芯片指定码至所述第四个体芯片指定码。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其中,
当所述第一芯片熔丝信号至所述第四芯片熔丝信号全部被使能时,所述个体芯片指定地址设置单元产生具有不同值的所述第一指定地址至所述第四指定地址,
当所述第一芯片熔丝信号被禁止时,所述个体芯片指定地址设置单元将所述第一指定地址初始化,
当所述第二芯片熔丝信号被禁止时,所述个体芯片指定地址设置单元产生具有与所述第一指定地址相同的值的所述第二指定地址,
当所述第三芯片熔丝信号被禁止时,所述个体芯片指定地址设置单元产生具有与所述第二指定地址相同的值的所述第三指定地址;以及
当所述第四芯片熔丝信号被禁止时,所述个体芯片指定地址设置单元产生具有与所述第三指定地址相同的值的所述第四指定地址。
7.如权利要求6所述的半导体装置,其中,所述个体芯片指定地址设置单元包括:
第一指定地址组发生部,所述第一指定地址组发生部被配置为响应于所述第一芯片熔丝信号来产生所述第一指定地址;
第二指定地址组发生部,所述第二指定地址组发生部被配置为响应于所述第二芯片熔丝信号来产生所述第二指定地址;
第三指定地址组发生部,所述第三指定地址组发生部被配置为响应于所述第三芯片熔丝信号来产生所述第三指定地址;
第四指定地址组发生部,所述第四指定地址组发生部被配置为响应于所述第四芯片熔丝信号来产生所述第四指定地址。
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