[发明专利]静电放电保护结构

权利要求书

1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：

一基体，其为一第一导电型；

一焊垫，配置于该基体上；

一绝缘层，配置于该基体与该焊垫之间；

一第一掺杂区，其为一第二导电型，配置于该基体中，其中于该基体的垂直投影方向上，该焊垫的全部配置于该第一掺杂区中；以及

一导电孔，配置于该第一掺杂区与该焊垫之间并且贯穿该绝缘层，其中该焊垫通过该导电孔电性连接至该第一掺杂区。

2.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，其中当该第二导电型为P型时，该第一导电型为N型。

3.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，其中当该第二导电型为N型时，该第一导电型为P型。

4.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括一第二掺杂区，其为该第一导电型，配置于该基体中且于该第一掺杂区外，其中该第二掺杂区电性连接至一第一电源线。

5.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，其中该基体为一集成电路基板。

6.如权利要求5所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：

一第一阱，其为该第二导电型，配置于该基体中且于该第一掺杂区外；

一第三掺杂区，其为该第一导电型，配置于该第一阱中，其中该第三掺杂区电性连接至该焊垫；以及

一第四掺杂区，其为该第二导电型，配置于该第一阱中且于该第三掺杂区外，其中该第四掺杂区电性连接至一第二电源线。

7.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，其中该基体为配置于一集成电路基板内的一阱，该集成电路基板为该第二导电型。

8.如权利要求7所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：

一第三掺杂区，其为该第一导电型，配置于该集成电路基板中且于该基体外，其中该第三掺杂区电性连接至该焊垫；以及

一第四掺杂区，其为该第二导电型，配置于该集成电路基板中且于该基体与该第三掺杂区外，其中该第四掺杂区电性连接至一第二电源线。

9.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：

一深阱，其为该第二导电型，配置于一集成电路基板内；

其中该基体配置于该深阱内。