[发明专利]双向表面电场减弱的漏极隔离DDDMOS晶体管及方法有效
| 申请号： | 201010270128.1 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102386227A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;熊涛;罗啸;刘剑;孙尧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/761 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双向 表面 电场 减弱 隔离 dddmos 晶体管 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种双向表面电场减弱的漏极隔离DDDMOS晶体管；包括：漏区和位于漏区两侧的体注入区，其特征在于，在漏区具有一层夹断注入层与漏区两侧的体注入区连接。
2.如权利要求1所述的双向表面电场减弱的漏极隔离DDDMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、在衬底上形成深阱；
步骤二、有源区形成；
步骤三、夹断区注入和漏极漂移区注入；
步骤四、体注入区形成；
步骤五、栅氧化层形成；
步骤六、栅极形成；
步骤七、侧墙形成；
步骤八、源漏区注入。
3.如权利要求2所述的双向表面电场减弱的漏极隔离DDDMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤二中，采用局部硅氧化隔离或沟槽隔离形成有源区。
4.如权利要求3所述的双向表面电场减弱的漏极隔离DDDMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤三和步骤四之间增加夹断区和漂移区推阱的步骤。
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