[发明专利]一种非易失性阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010270510.2 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101969100A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 尚大山;董春颖;孙继荣;沈保根;赵同云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种非易失性阻变存储单元，包括：
绝缘衬底，
在该绝缘衬底上的底电极，
在该底电极上的存储介质层，以及
在该存储介质层上的顶电极，
其特征在于，所述存储介质层为AgxO薄膜，其中x的范围为1≤x≤2。
2.根据权利要求1所述的非易失性阻变存储单元，其特征在于，所述AgxO薄膜的晶体结构为单相晶体结构或多相晶体结构。
3.根据权利要求1所述的非易失性阻变存储单元，其特征在于，所述AgxO薄膜的厚度为100-1000nm。
4.根据权利要求1所述的非易失性阻变存储单元，其特征在于，还包括位于顶电极之间的封装层，所述封装层由绝缘材料制成。
5.一种非易失性阻变存储器，其特征在于，包括权利要求1至4之一的存储单元。
6.一种非易失性阻变存储单元的制备方法，包括以下步骤：
1)选取绝缘衬底，在该衬底上制备底电极；
2)在所述底电极上制备AgxO薄膜，其中x的范围为1≤x≤2，薄膜的厚度为100-1000nm；
3)在该AgxO薄膜上制备顶电极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤2)中制备AgxO薄膜时，衬底温度在室温至300℃之间。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤2)包括利用Ag靶材或AgxO(1≤x≤2)靶材在氧气气氛下沉积AgxO薄膜。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述步骤2)中氧气气压在1～200Pa之间。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括步骤4)：在所述顶电极之间沉积封装层。
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