[发明专利]带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在将用于固着半导体芯片和电极构件固着的胶粘剂在切割前附着在半导体晶片上的状态下供给半导体晶片的切割的带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法。另外，本发明涉及使用所述带有切割片的胶粘薄膜制造的半导体装置。 

背景技术

形成有电路图案的半导体晶片在根据需要通过背面研磨调节厚度后，切割为半导体芯片(切割工序)。在切割工序中，为了除去切割层，一般通过适度的液压(通常约2kg/cm²)清洗半导体晶片。然后，利用胶粘剂将所述半导体芯片固着到引线框等被粘物上(安装工序)后，移送到接合工序。所述安装工序中，将胶粘剂涂布到引线框或半导体芯片上。但是，该方法难以实现胶粘剂层的均匀化，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体芯片、并且也提供安装工序所需的芯片固着用胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜(例如，参考专利文献1)。 

专利文献1中所述的切割/芯片接合薄膜，在基材1上设置有可以剥离的胶粘剂层。即，在胶粘剂层的保持下将半导体晶片切割后，对基材1进行拉伸而将半导体芯片与胶粘剂层一起剥离，将其逐个回收后通过该胶粘剂层固着到引线框等被粘物上。 

这种切割/芯片接合薄膜的胶粘剂层，为了不产生无法切割或尺寸误差等问题，希望具有对半导体晶片的良好保持力以及能够将切割后的半导体芯片与胶粘剂层一体地从基材1上剥离的良好剥离性。但是，这两种特性不容易达到平衡。 

因此，为了克服这样的问题，提出了各种改良方法。例如，在下述专利文献2中，提出了使基材1与胶粘剂层之间夹设可以紫外线固化的粘合剂层，在切割后将其进行紫外线固化，从而使粘合剂层与胶粘剂层之间的胶粘力下降，通过两者间的剥离容易地拾取半导体芯片的方法。 

但是，随着半导体晶片的大型化(10mm×10mm以上)、薄型化(约15μm～约100μm)，现有的切割/芯片接合薄膜难以同时满足切割时所需的高胶粘性和拾取时所需的剥离性，难以将带有胶粘剂的半导体芯片从切割片上剥离。结果，有时产生拾取不良或芯片变形导致破损的问题。 

专利文献1：日本特开昭60-57642号公报 

专利文献2：日本特开平2-248064号公报 

发明内容

本发明的目的在于提供一种带有切割片的胶粘薄膜，在基材上具有粘合剂层，在该粘合剂层上具有以可剥离的方式设置的胶粘薄膜，该带有切割片的胶粘薄膜即使在半导体晶片为薄型的情况下也无损将其进行切割时的保持力，并且将通过切割得到的半导体芯片与该胶粘薄膜一体地剥离时的剥离性优良；还提供该胶粘薄膜的制造方法。 

本发明人为了解决上述现有问题对带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法进行了研究，结果发现，通过采用下述构成可以实现前述目的，从而完成了本发明。 

即，本发明的带有切割片的胶粘薄膜，为了解决上述问题，在基材上依次层压有粘合剂层和胶粘剂层，其中，所述粘合剂层中，与所述胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域的Si-Kα射线强度为 0.01～100kcps。 

所述构成中的Si-Kα射线强度，可以作为所述粘合剂层的粘贴面中硅原子以何种程度存在的指标。通过对所述粘贴面进行表面改性使Si-Kα射线强度为0.01kcps以上，可以保持对所述胶粘剂层的剥离性。由此，例如在拾取半导体芯片时，可以防止产生胶糊残留或拾取不良。另一方面，通过进行表面改性使所述粘贴面的Si-Kα射线强度为100kcps以下，可以防止对胶粘剂层的胶粘性的过度下降。由此，例如在对粘贴在胶粘剂层上的半导体晶片进行切割时，可以将由该工序得到的半导体芯片可靠地胶粘固定。结果，可以防止芯片飞散或碎片的产生。 

所述构成中，优选在温度25℃、相对湿度55％、拉伸速度300mm/分钟、剥离角度180°的条件下进行剥离时，所述区域对所述胶粘剂层的剥离粘合力为0.01～0.2N/20mm。通过对所述粘合剂层的粘贴面的至少一部分进行表面改性使Si-Kα射线强度为0.01～100kcps，可以将粘合剂层对胶粘剂层的剥离粘合力控制在0.01～0.2N/20mm的范围内。在此，通过使所述粘合力为0.01N/20mm以上，可以防止与胶粘剂层的胶粘性过度下降。另一方面，通过使所述粘合力为0.2N/20mm以下，可以防止与胶粘剂层的过度胶粘。由此，可以在粘合剂层与胶粘剂层间保持良好的剥离性。结果，例如在拾取半导体芯片时，可以防止产生胶糊残留或拾取不良。