[发明专利]一种In4Se3热电化合物粉体的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010271219.7 申请日: 2010-08-31
公开(公告)号: CN101913575A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 唐新峰;刘丹丹;李涵;张清杰 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 in sub se 热电 化合物 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种In4Se3热电化合物粉体的制备方法,其特征在于:它包括如下步骤:

1)根据亚硒酸钠与铟的水合可溶性盐中硒元素和铟元素的物质的量比为3∶4~3.1∶4,称取铟的水合可溶性盐与亚硒酸钠原料,以去离子水作为溶剂,搅拌混合,得到混合溶液A;

2)在混合溶液A中加入还原剂水合肼,控制反应温度为50~80℃,反应3~12小时,得到产物B;

3)将产物B进行离心,将离心得到的沉淀进行冷冻干燥,得到暗红色粉末;

4)将步骤3)得到的暗红色粉末在氢气气氛下于450~525℃还原1~3小时,得到In4Se3热电化合物粉体。

2.根据权利要求1所述的In4Se3热电化合物粉体的制备方法,其特征在于:步骤1)所述的铟的水合可溶性盐为铟的水合氯化物或者铟的水合硝酸盐。

3.根据权利要求1所述的In4Se3热电化合物粉体的制备方法,其特征在于:步骤2)所述的反应是在超声反应条件下或搅拌状态下进行反应。

4.根据权利要求1所述的In4Se3热电化合物粉体的制备方法,其特征在于:步骤2)所述的还原剂水合肼与亚硒酸钠的物质的量的配比至少为10∶1。

5.根据权利要求1所述的In4Se3热电化合物粉体的制备方法,其特征在于:步骤3)所述的离心时间为3~5min,离心转速为8000~12000r/min。

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