[发明专利]测量电阻存储器器件的电阻的方法和执行该方法的系统无效
申请号: | 201010271538.8 | 申请日: | 2010-09-02 |
公开(公告)号: | CN102004197A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 金荣国;朴美林;堀井秀树;徐东硕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R27/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 电阻 存储器 器件 方法 执行 系统 | ||
本申请要求2009年9月2日在韩国知识产权局(KIPO)提交的No.2009-82357号韩国专利申请的优先权,其内容通过引用被完全包含于此。
技术领域
根据本发明概念的示范性实施例涉及测量电阻存储器器件的电阻的方法和用于执行该方法的系统。更具体地,根据本发明概念的示范性实施例涉及恰在把数据写入电阻存储器器件的单元中以后测量该电阻存储器器件的电阻的方法和用于执行该方法的系统。
背景技术
电阻存储器器件可以使用电阻变化把数据存储在该电阻存储器器件的单元中。因此,这些单元可以通过提供不同的相应电阻存储不同的数据。根据数据来测量单元的电阻的方法可以包括把数据写入单元中,并把直流电流施加到单元。
但是,用于测量电阻的时间可能至少大约0.1秒。具体来说,用于准确测量电阻的时间可能不少于大约1秒。因此,在把数据写入单元中以后,可能很难在1秒内测量该单元的电阻。
发明内容
根据依据本发明概念的某些示范性实施例,一种测量电阻存储器器件中的存储器单元的电阻的方法可以通过如下提供:把数据写脉冲施加到所述电阻存储器器件的被选择的单元;在自施加所述数据写脉冲的时刻测量的一个延迟时间以后,把电阻读脉冲施加到所述被选择的单元;测量响应于当把所述电阻读脉冲施加到所述被选择的单元时输出的脉冲波形在所述单元的下降电压;使用所述下降电压和耦合到所述单元的测试设备的内阻来测量通过所述单元的总电流;以及,使用所述总电流和所述电阻读脉冲的电压确定所述电阻存储器器件的电阻。
根据依据本发明概念的某些示范性实施例,一种用于测量电阻存储器器件中的存储器单元的电阻的系统可以包括被配置成把数据写脉冲和以一个延迟时间把电阻读脉冲施加到所述电阻存储器器件的脉冲产生器。连接组件被连接在所述脉冲产生器和所述电阻存储器器件之间。测试测量设备连接到输出脉冲波形的所述电阻存储器器件,并且数据处理组件被配置成使用所述脉冲波形和所述测试测量设备的内阻确定所述电阻存储器器件的所述电阻。
根据依据本发明概念的某些示范性实施例,可以恰在大约从把数据写入电阻存储器器件起几个到数百纳秒以后准确地测量电阻。所测量的电阻可以用于确定电阻存储器器件的工作特性和可靠性,并用于设置电阻存储器器件的读感测容限和数据确定电压。
附图说明
图1是示出根据依据本发明概念的某些示范性实施例的用于测量电阻存储器器件的电阻的系统的框图;
图2是示出根据依据本发明概念的某些示范性实施例的用于测量电阻存储器器件的电阻的系统的框图;
图3是示出根据依据本发明概念的某些示范性实施例的用于测量电阻存储器器件的电阻的系统的框图;
图4是示出根据依据本发明概念的某些示范性实施例的相变存储器器件的框图;
图5是根据本发明概念依据数据写和时间延迟示出图4中的相变存储器器件的电阻的曲线;
图6是根据本发明概念示出当相变材料是无定形态时图4中的相变存储器器件中的相变材料的电阻的曲线;
图7是流程图,根据依据本发明概念的某些示范性实施例示出了测量电阻存储器器件的电阻的方法;
图8是示出数据写脉冲和数据读脉冲的定时图;
图9是示出电阻测量方案的等效电路图;
图10是流程图,根据依据本发明概念的某些示范性实施例示出了测量电阻存储器器件的电阻的方法;
图11是示出被平滑的平均脉冲波形的示意波形图示;
图12是依据恰在写数据后的时间延迟示出相变存储器器件的置位电阻和复位电阻的曲线;
图13是按把数据“1”写入相变存储器器件之后的时间延迟示出电阻的曲线;和
图14是示出具有不同的复位电流的相变存储器器件的电阻的曲线。
具体实施方式
此后将参考附图更全面地描述各种示范性实施例,在附图中示出了某些示范性实施例。但是,本发明可以用很多不同的形式具体实施,并且不应该被理解为局限于这里给出的示范性实施例。相反,提供这些示范性实施例以使本公开将会透彻和完整,并且将把本发明的范围全面地传达给本领域技术人员。在附图中,为了清晰可能夸大层和区域的大小和相对大小。
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