[发明专利]空气隧道浮栅存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 201010271590.3 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101964358A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空气 隧道 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种浮栅存储单元，包括：
衬底；
空气隧道，限定在该衬底之上；
第一多晶硅层，限定在该空气隧道之上；以及
氧化物层，限定在该第一多晶硅层之上，使得该氧化物层覆盖该第一多晶硅层并且限定该空气隧道的侧壁。
2.如权利要求1所述的浮栅存储单元，还包括：
第二多晶硅层，限定在该氧化物层之上。
3.如权利要求1所述的浮栅存储单元，其中该空气隧道的厚度在3nm到10nm的范围内。
4.如权利要求1所述的浮栅存储单元，其中该空气隧道为真空隧道。
5.如权利要求1所述的浮栅存储单元，其中该第一多晶硅层用作浮栅。
6.如权利要求2所述的浮栅存储单元，其中该第二多晶硅层用作字线。
7.如权利要求1所述之浮栅存储单元，其中通过富雷—诺特海姆式(FN)隧穿来编程或擦除该浮栅存储单元。
8.如权利要求1所述的浮栅存储单元，其中通过沟道热电子(CHE)注入来编程该浮栅存储单元。
9.如权利要求1所述的浮栅存储单元，其中通过沟道起始次要电子注入(CHISEL)来编程该浮栅存储单元。
10.如权利要求1所述的浮栅存储单元，其中通过脉冲鼓动衬底高热电子注入(PASHEI)来编程该浮栅存储单元。
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