[发明专利]发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装有效
申请号: | 201010272426.4 | 申请日: | 2010-08-31 |
公开(公告)号: | CN102005465A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 李尚烈;裴贞赫;文智炯;宋俊午 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;吴鹏章 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 以及 具有 封装 | ||
1.一种发光器件,包括:
多个发光单元,所述发光单元包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层;
与所述多个发光单元的第一发光单元的第一导电半导体层连接的第一电极层;
在所述发光单元之下的多个第二电极层,所述第二电极层的一部分与相邻发光单元的第一导电半导体层连接;
在所述多个发光单元的最后的发光单元之下的第三电极层;
与所述第一电极层连接的第一电极;
与所述第三电极层连接的第二电极;
在所述第一电极层至第三电极层周围的绝缘层;以及
在所述绝缘层下的支撑构件。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述支撑构件包括导电支撑构件,其中所述导电支撑构件与设置在所述多个发光单元的中心发光单元之下的第二电极层连接。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述支撑构件包括由与所述绝缘层不同的材料所形成的绝缘支撑构件。
4.根据权利要求1所述的发光器件,还包括:在各发光单元与所述第二电极层和所述第三电极层中之一之间的多个导电接触层。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述导电接触层的数目与所述发光单元的数目相同。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发光单元为棒形,并且n个(n>2)发光单元彼此平行地设置。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极层设置在所述第一发光单元和所述导电支撑构件之间,所述第一电极设置在所述第一电极层的上表面上并且与所述第一发光单元间隔开。
8.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极设置在所述第一发光单元的所述第一导电半导体层上。
9.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二电极设置在所述第三电极层的上表面上并且与所述最后的发光单元间隔开。
10.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二电极层的一部分从所述第二导电半导体层延伸至下一个发光单元的第一导电半导体层的下部,并且所述绝缘层的一部分延伸至所述第二电极层的所述一部分的周边。
11.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述多个发光单元包括:在所述第一电极和所述第二电极层的中心第二电极层之间彼此串联连接的第一组、以及在所述中心第二电极层和所述第二电极之间彼此串联连接的第二组。
12.根据权利要求11所述的发光器件,其中所述第一组的发光单元的数目与所述第二组的发光单元的数目相同。
13.根据权利要求11所述的发光器件,其中所述第一组和所述第二组的发光单元在交流电的半个运行周期期间运行。
14.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一至第三电极层包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、W、Ti及其组合中的一种。
15.一种发光器件,包括:
多个发光单元,所述发光单元包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层;
在所述发光单元下的多个导电接触层;
与所述多个发光单元的第一发光单元的第一导电半导体层连接的第一电极层;
在所述导电接触层下的多个第二电极层,所述第二电极层的一部分与所述多个发光单元的下一个发光单元的第一导电半导体层连接;
在设置于所述多个发光单元的最后的发光单元之下的导电接触层下的第三电极层;
与所述多个第二电极层的中心第二电极层连接的电极;
在所述第一电极层至第三电极层周围的绝缘层;和
在所述绝缘层下的导电支撑构件,所述导电支撑构件与所述多个发光单元的所述第一发光单元和所述最后的发光单元连接。
16.根据权利要求14所述的发光器件,其中所述多个发光单元包括:在所述中心第二电极层和第一电极之间的彼此串联连接的第一组、以及在所述中心第二电极层和第二电极之间彼此串联连接的第二组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的