[发明专利]一种防止分离栅闪存中堆叠栅极线倒塌的方法

权利要求书

1.一种防止分离栅闪存中堆叠栅极线倒塌的方法，该方法应用于分离栅闪存的存储单元区域制作，包括：

提供一半导体衬底，依次沉积浮栅氧化层、浮栅材料层、介质层及控制栅材料层；

采用光刻和刻蚀方法刻蚀控制栅材料层和介质层，形成两个控制栅，所述两个控制栅极之间裸露出浮栅材料层；

为两个控制栅形成侧壁层，以两个控制栅和所形成的侧壁层为掩膜，刻蚀两个控制栅下的浮栅材料层，形成两个浮栅；

在裸露的控制栅表面和浮栅氧化层表面沉积光阻胶层，图案化光阻胶层，裸露出两个控制栅之间的浮栅氧化层，以图案化光阻胶层为掩膜，采用离子注入方式进行离子注入，在两个控制栅之间的半导体衬底和浮栅氧化层内形成堆叠栅极线，去除侧壁层；

在堆叠栅极线及图案化光阻胶层上沉积遮盖层，覆盖住浮栅和控制栅，采用干法离子注入方式去除图案化的光阻胶层上的遮盖层及光阻胶层表面层；

灰化去除剩余的光阻胶层和堆叠栅极线表面的遮盖层后，在堆叠栅极线上形成擦除栅。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入方式采用砷离子，能量为大于等于E15。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述遮盖层的材料为光阻胶或不定形碳，厚度大于等于1700埃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光阻胶层的厚度为大于等于800埃，去除光阻胶层表面层后剩余的光阻胶层厚度不小于500埃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法离子注入方式采用的射频功率为不大于150瓦，离子采用的为氧等离子体或臭氧。