[发明专利]LDMOS高压器件结构及制备方法无效
| 申请号： | 201010274487.4 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102403350A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 张帅;刘坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 高压 器件 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种LDMOS高压器件结构，所述LDMOS高压器件中，漂移区内的硅表面有与所述LDMOS高压器件的漂移区掺杂类型相反的埋层注入区，其特征在于：所述埋层注入区由两段以上相互分离的注入区组成。
2.一种制备如权利要求1所述的LDMOS高压器件结构的方法，其特征在于：在形成漂移区之后，采用光刻工艺定义出需要注入的埋层注入区，所述光刻工艺中所用的掩模板的埋层注入区分为两段以上，而后进行离子注入形成掺杂类型与所述漂移区相反的埋层注入区。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述埋层注入区的注入杂质浓度为1×1012原子/cm2～1×1014原子/cm2。
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