[发明专利]保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置有效
申请号: | 201010274831.X | 申请日: | 2010-09-06 |
公开(公告)号: | CN102013404A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 北原信康 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陈坚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护膜 覆盖 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及在半导体晶片等被加工物的被加工面覆盖保护膜的保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置。
背景技术
如本领域技术人员所公知,在半导体器件制造工序中,利用在硅等半导体基板的表面层叠有绝缘膜和功能膜的层叠体形成半导体晶片,在所述半导体晶片呈矩阵状地形成有多个IC(integrated circuit:集成电路)、LSI(large-scale integration:大规模集成电路)等器件。如此形成的半导体晶片利用被称为间隔道的分割预定线将上述器件划分开,通过沿所述间隔道切断,从而制造出一个个器件。另外,对于以下所述的光器件晶片,沿间隔道将光器件晶片分割成一个一个的发光二极管、激光二极管等光器件,并广泛利用于电气设备,所述光器件晶片形成为在蓝宝石基板等的表面上利用呈格子状地形成的间隔道划分出多个区域,并在该划分出的区域内形成有由氮化镓类化合物半导体等层叠而成的光器件。
作为沿间隔道分割这样的半导体晶片或光器件晶片等晶片的方法,提出有以下方法:通过沿着形成于晶片等被加工物的间隔道照射脉冲激光光线来形成激光加工槽,沿着该激光加工槽利用机械断裂装置进行切断。(例如,参照专利文献1。)
激光加工与切削加工相比能够提高加工速度,而且,即使是由像蓝宝石那样的硬度高的材料形成的晶片,也能够比较容易地进行加工。然而,当沿晶片的间隔道照射激光光线时,会产生如下所述的新的问题:热能集中于被照射的区域从而产生碎屑(debris),该碎屑附着在器件的表面从而使器件的品质降低。
为了消除由上述碎屑引起的问题,提出了如下所述的激光加工机:在晶片的被加工面上覆盖聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol)等保护膜,透过保护膜向晶片照射激光光线。装备于该激光加工机的保护膜覆盖装置将晶片吸引保持于旋转工作台(spinner table),一边使旋转工作台旋转一边向晶片的中心部供给聚乙烯醇等的液态树脂,来进行旋转涂覆。(例如,参照专利文献2。)
专利文献1:日本特开平10-305420号公报
专利文献2:日本特开2007-201178号公报
在利用上述旋转涂覆在晶片的表面形成保护膜的方法中,例如在直径为300mm的晶片的表面形成厚度为4μm的保护膜的情况下,使用19~30cc的聚乙烯醇等的液态树脂。然而,形成于直径为300mm的晶片的表面的保护膜的液态树脂量为0.3cc,所供给的液态树脂的98~99%被废弃了,因而存在着非常不经济的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述现状而完成的,其主要的技术课题在于提供保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置,在利用旋转涂覆在晶片的表面形成保护膜的方法中,即使减少形成保护膜的液态树脂的供给量也能够在晶片的表面形成均匀的保护膜。
为了解决上述主要的技术课题,根据本发明,提供一种保护膜覆盖方法,该保护膜覆盖方法是在应该进行激光加工的晶片的表面覆盖液态树脂以形成保护膜的方法,其特征在于,该保护膜覆盖方法包括以下工序:晶片保持工序,将晶片以表面朝上的方式保持于旋转工作台;水层形成工序,形成对保持于旋转工作台的晶片的表面进行覆盖的水层;第一液态树脂滴下工序,向该水层中的晶片的中心部滴下液态树脂;第一树脂膜覆盖工序,使旋转工作台旋转,利用伴随着晶片的旋转而作用于水层的离心力,使水层飞散并使滴下的液态树脂扩张,由此在晶片的表面覆盖第一树脂膜;第二液态树脂滴下工序,向覆盖有第一树脂膜的晶片的中心部滴下液态树脂;以及第二树脂膜覆盖工序,使旋转工作台旋转,利用伴随晶片的旋转的离心力使液态树脂沿第一树脂膜向外周流动,由此来形成第二树脂膜。
上述晶片的背面粘贴在装配于环状框架的保护带上,在上述水层形成工序中,用水充满由环状框架的内周面和保护带形成的区域,由此形成覆盖晶片的表面的水层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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