[发明专利]完全平衡双沟道内存单元

权利要求书

1.一种静态随机存取内存单元，其特征在于包含：

四组串联的金氧半场效应晶体管，每一该组串联的金氧半场效应晶体管具有一下拉装置以及一沟道栅装置；以及

一第一上拉装置以及一第二上拉装置，配置以使该四个下拉装置形成两个交叉耦接反相器；

其中该四个沟道栅装置的其中两者配置以形成一第一沟道，而该四个沟道栅装置的另外两者则配置以形成一第二沟道。

2.如权利要求1所述的静态随机存取内存单元，其特征在于该些组串联金氧半场效应晶体管包含：

一第一组串联N型金氧半场效应晶体管，具有一第一沟道栅装置以及一第一下拉装置皆配置于一第一连续主动区内；

一第二组串联N型金氧半场效应晶体管，具有一第二沟道栅装置以及一第二下拉装置皆配置于一第二连续主动区内；

一第三组串联N型金氧半场效应晶体管，具有一第三沟道栅装置以及一第三下拉装置皆配置于一第三连续主动区内；以及

一第四组串联N型金氧半场效应晶体管，具有一第四沟道栅装置以及一第四下拉装置皆配置于一第四连续主动区内。

3.如权利要求2所述的静态随机存取内存单元，其特征在于该第一上拉装置以及该第二上拉装置配置于一连续N型井内，其中该连续N型井与该第一、第二、第三以及第四连续主动区隔离。

4.如权利要求2所述的静态随机存取内存单元，其特征在于该些组串联金氧半场效应晶体管包含：

该第一沟道栅装置的一漏极节点，电性连接于一第一位线；

该第一沟道栅装置的一源极节点，电性连接于该第一下拉装置的一漏极节点；

该第一沟道栅装置的一栅极节点，电性连接于一第一字线；

该第一下拉装置的一源极节点，电性连接于一第一低位准电源线；

该第二沟道栅装置的一漏极节点，电性连接于一第二位线；

该第二沟道栅装置的一源极节点，电性连接于该第二下拉装置的一漏极节点；

该第二沟道栅装置的一栅极节点，电性连接于一第二字线；

该第二下拉装置的一源极节点，电性连接于该第一低位准电源线；

该第三沟道栅装置的一漏极节点，电性连接于一第一反位线；

该第三沟道栅装置的一源极节点，电性连接于该第三下拉装置的一漏极节点；

该第三沟道栅装置的一栅极节点，电性连接于该第一字线；

该第三下拉装置的一源极节点，电性连接于一第二低位准电源线；

该第四沟道栅装置的一漏极节点，电性连接于一第二反位线；

该第四沟道栅装置的一源极节点，电性连接于该第四下拉装置的一漏极节点；

该第四沟道栅装置的一栅极节点，电性连接于该第二字线；以及

该第四下拉装置的一源极节点，电性连接于该第二低位准电源线。

5.如权利要求4所述的静态随机存取内存单元，其特征在于该些组串联金氧半场效应晶体管包含：

该第一上拉装置的一漏极节点，与该第一下拉装置的该漏极节点和该第二下拉装置该漏极节点电性相连，以形成一数据节点；

该第一下拉装置的一栅极节点、该第二下拉装置的一栅极节点以及该第一上拉装置的一栅极节点，彼此电性相连并耦接于一反数据节点；

该第二上拉装置的一漏极节点，与该第三下拉装置的该漏极节点和该第四下拉装置的该漏极节点电性相连至该反数据节点；

该第三下拉装置的一栅极节点、第四下拉装置的一栅极节点以及该第二上拉装置的一栅极节点，彼此电性相连并耦接于该数据节点；以及

该第一上拉装置的一源极节点以及该第二上拉装置的一源极节点，电性连接于一高位准电源线。

6.如权利要求4所述的静态随机存取内存单元，其特征在于更包含一硅化物层，配置以使该第一沟道栅的该源极节点连接于该第一下拉装置的该漏极节点；以使该第二沟道栅的该源极节点连接于该第二下拉装置的该漏极节点；以使该第三沟道栅的该源极节点连接于该第三下拉装置的该漏极节点；并使该第四沟道栅的该源极节点连接于该第四下拉装置的该漏极节点。