[发明专利]完全平衡双沟道内存单元

说明书

技术领域

本发明涉及一种内存，特别是涉及一种静态随机存取内存单元。

背景技术

在深次微米集成电路技术中，内嵌式静态随机存取内存装置已成为高速通讯、影像处理以及单芯片系统产品中的主要储存单元。举例而言，双沟道静态随机存取内存装置可允许平行操作，例如在一循环中可同时读取与写入或者同时进行两个读取动作，因此双沟道静态随机存取内存装置较单沟道静态随机存取内存装置具有更高的频宽。在内嵌内存与单芯片系统产品的进阶技术中，静态随机存取内存单元结构所具有的低载入与高速度特性为其重要特性。具有短位线的薄型静态随机存取内存单元结构在位线的RC延迟方面有更佳的表现。

然而，薄型静态随机存取内存单元结构依旧遭遇到某些难题，包含多个据节点漏电流现象、下拉装置与沟道栅装置间的装置匹配问题以及电流拥挤效应…等。双沟道静态随机存取内存的特殊操作模式(并行运转)需要更强的下拉驱动能力足以应付开启运作模式的静态随机存取内存的双沟道，所以更需要为静态杂信边限设定双β比，如此，下拉装置的宽度会变成单沟道静态随机存取内存单元的约两倍。考虑到合理的静态杂信边限，在双沟道静态随机存取内存单元中下拉装置与沟道栅装置间的宽度比例约为2-4。

如上所述，导致了下拉装置漏极节点的布局为L型或T型，也因此会遭遇到上述难题。其它与上述结构相关的问题为半节点的其中之一使用栅极层作为单元内局部内连线，以操作位于沟道栅晶体管的源极节点至下拉晶体管的漏极节点间的电流路径。当栅极层电阻持续一代代地增加时，如此的高电阻将大幅地影响静态随机存取内存单元的性能(例如：静态随机存取内存单元的电流平衡、读取速度以及写入能力)。

由此可见，上述现有的内嵌式静态随机存取内存装置在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。因此如何能创设一种新型结构的完全平衡双沟道内存单元，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的内嵌式静态随机存取内存装置存在的缺陷，而提供一种新型结构的完全平衡双沟道内存单元，所要解决的技术问题是使其提供一种双沟道静态随机存取内存单元既可提供单沟道静态随机存取内存装置所具有的单元成效与性能的追踪功能，并可降低双沟道静态随机存取内存单元的开发投入、成本、周期与风险。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种静态随机存取内存单元，包含：四组串联的金氧半场效应晶体管，每一该些组串联金氧半场效应晶体管具有一下拉装置以及一沟道栅装置；以及一第一上拉装置以及一第二上拉装置，配置以使该四个下拉装置形成两个交叉耦接反相器；其中该四个沟道栅装置的其中两者配置以形成一第一沟道，而该四个沟道栅装置的另外两者则配置以形成一第二沟道。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的静态随机存取内存单元，其中所述的该些组串联金氧半场效应晶体管包含：一第一组串联N型金氧半场效应晶体管，具有一第一沟道栅装置以及一第一下拉装置皆配置于一第一连续主动区内；一第二组串联N型金氧半场效应晶体管，具有一第二沟道栅装置以及一第二下拉装置皆配置于一第二连续主动区内；一第三组串联N型金氧半场效应晶体管，具有一第三沟道栅装置以及一第三下拉装置皆配置于一第三连续主动区内；以及一第四组串联N型金氧半场效应晶体管，具有一第四沟道栅装置以及一第四下拉装置皆配置于一第四连续主动区内。

前述的静态随机存取内存单元，其中所述的该第一上拉装置以及该第二上拉装置配置于一连续N型井内，其中该连续N型井是与该第一、第二、第三以及第四连续主动区隔离。