[发明专利]金属栅极的形成方法

权利要求书

1.一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有替代栅结构，所述替代栅结构包括依次位于基底上的栅介质层和替代栅电极层，所述替代栅结构两侧形成有位于基底表面的侧墙；

在所述基底上形成介质层，所述介质层表面与替代栅电极层表面齐平；

去除部分厚度的替代栅电极层，形成沟槽；

修正所述沟槽，使得所述沟槽的顶部尺寸大于底部尺寸；

去除剩余厚度的替代栅电极层；

对所述沟槽填充金属，形成金属栅电极层。

2.根据权利要求1所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述部分厚度的替代栅电极层为所述替代栅电极层厚度的25％～80％。

3.根据权利要求1所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述替代栅电极层的厚度范围为

4.根据权利要求1所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的厚度范围为

5.根据权利要求1所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述替代栅电极层为多晶硅、锗、锗化硅、氮化硅或氧化硅中的一种或组合。

6.根据权利要求1所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述部分厚度的替代栅电极层的去除方法可以为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

7.根据权利要求1所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述剩余厚度的替代栅电极层的去除方法可以为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

8.根据权利要求1所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述沟槽的修正工艺为溅射工艺或者反应离子刻蚀工艺。

9.一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有替代栅结构，所述替代栅结构包括依次位于基底上的栅介质层和替代栅电极层，所述替代栅结构两侧形成有位于基底表面的侧墙；

在所述基底上形成介质层，所述介质层表面与替代栅电极层表面齐平；

去除部分厚度的替代栅电极层，形成沟槽；

修正所述沟槽，使得所述沟槽的顶部尺寸大于底部尺寸；

去除剩余厚度的替代栅电极层和栅介质层；

对所述沟槽进行填充高K介质和金属，形成金属栅极。

10.根据权利要求9所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述部分厚度的替代栅电极层为所述替代栅电极层厚度的25％～80％。

11.根据权利要求9所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述替代栅电极层的厚度范围为

12.根据权利要求9所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的厚度范围为

13.根据权利要求9所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述替代栅电极层为多晶硅、锗、锗化硅、氮化硅或氧化硅中的一种或组合。

14.根据权利要求9所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述部分厚度的替代栅电极层的去除方法可以为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

15.根据权利要求9所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述剩余厚度的替代栅电极层的去除方法可以为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

16.根据权利要求9所述金属栅极的形成方法，其特征在于，所述沟槽的修正工艺为溅射工艺或者反应离子刻蚀工艺。