[发明专利]半导体装置和电子设备、及其制造方法有效
申请号: | 201010275333.7 | 申请日: | 2010-09-06 |
公开(公告)号: | CN102034834A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 向田秀子 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
半导体基板,具有第1面及其相反侧的第2面,且在第1面上形成有具有受光部的活性层;
粘接层,设置在所述半导体基板的所述第1面上,使该粘接层包围所述受光部;
透光性保护部件,在所述半导体基板的所述受光部上相隔规定的间隙进行配置,且经所述粘接层而被粘接;以及
多个外部连接端子,在所述半导体基板的所述第2面上按矩阵状的排列进行配置,
在位于最外围的外部连接端子中,形成对置的2个边的外部连接端子的各中心点都位于将所述粘接层投影到所述第2面而成的区域,即粘接层的投影区域内。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
形成所述2个边的外部连接端子之外的、位于最外围的外部连接端子的各中心点都位于所述粘接层的投影区域外。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
形成所述2个边的外部连接端子之外的、位于最外围的外部连接端子,包含至少一个从中心点到所述粘接层的投影区域的包围所述受光部的开口端边缘的距离d大于等于该外部连接端子的直径的-25%的外部连接端子。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
d值大于等于0。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
位于最外围的所述外部连接端子中,形成所述2个边之外的至少一个边的、外部连接端子的各中心点,到所述粘接层的投影区域的、包围所述受光部的开口端边缘的距离d,都大于等于外部连接端子的直径的-25%。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
形成所述2个边的外部连接端子之外的、位于最外围的外部连接端子的各中心点,到所述粘接层的投影区域的、包围所述受光部的开口端边缘的距离d,都大于等于外部连接端子的直径的-25%。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
位于最外围的外部连接端子的各中心点都位于所述粘接层的投影区域内。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
位于最外围的各外部连接端子都整体位于所述粘接层的投影区域内。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
位于最外围以外的各外部连接端子都整体位于所述粘接层的投影区域外。
10.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述外部连接端子按3行3列~6行6列的矩阵状排列。
11.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述半导体基板具有50~300μm的厚度。
12.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
受光部的形状为矩形。
13.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述粘接层含有从环氧树脂、聚酰亚胺树脂和丙烯酸树脂中选出的至少一种。
14.一种半导体装置,其特征在于,包括:
半导体基板,具有第1面及其相反侧的第2面,且在第1面上形成有具有受光部的活性层;
粘接层,设置在所述半导体基板的所述第1面上,使该粘接层包围所述受光部;
透光性保护部件,在所述半导体基板的所述受光部上相隔规定的间隙进行配置,且经所述粘接层而被粘接;以及
多个外部连接端子,在所述半导体基板的所述第2面上按矩阵状的排列进行配置,
位于最外围的外部连接端子的各中心点,到粘接层的投影区域的、包围所述受光部的开口端边缘的距离d,都大于等于外部连接端子的直径的-25%,所述粘接层的投影区域为将所述粘接层投影到所述第2面而成的区域。
15.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于:
d值大于等于0。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的