[发明专利]CdTe/ZnSe量子点的制备方法

权利要求书

1.一种CdTe/ZnSe量子点的制备方法，包括如下步骤：

分别制备Te前体溶液、Se前体溶液、Zn前体溶液和Cd溶液；

向加热至250℃～300℃的Cd溶液中加入Te前体溶液，并降温至200℃～280℃，得到CdTe量子点；

150℃～260℃的温度条件下，向所述CdTe量子点中加入Zn前体溶液，反应1～60min后，再加入Se前体溶液，升温至160℃～350℃反应0.5h～12h，得到CdTe/ZnSe量子点。

2.根据权利要求1所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法，其特征在于，还包括在得到所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点后的提纯步骤。

3.根据权利要求2所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法，其特征在于，所述在得到所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点后的提纯的步骤是：

将所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点冷却至室温，加入体积比为1∶0.2～5的正己烷和甲醇，在离心分离的作用下吸出上层溶液，并向下层溶液加入丙酮再次进行离心分离2～15min后将沉淀取出并在25℃～60℃，0.01～0.5MPa的条件下真空干燥。

4.根据权利要求1所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法，其特征在于，所述Te前体溶液是在100℃～300℃的温度条件下超声溶解得到的Te单质或含Te化合物与膦化合物及十八烯的混合溶液。

5.根据权利要求4所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法，其特征在于，所述膦化合物是三丁基膦，所述Te单质、三丁基膦以及十八烯的质量比是0.64～6.4∶2.88～28.8∶175～354。

6.根据权利要求5所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法，其特征在于，所述Se前体溶液是Se单质或含Se化合物与三辛基膦和十八烯的混合溶液，所述Se单质、三辛基膦与十八烯的质量之比为0.019～0.38∶0.831～8.31∶7.95～79.5。

7.根据权利要求6所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法，其特征在于，所述Zn前体溶液是含Zn化合物、油酸和十八烯在200℃～300℃下溶解并冷却至25℃～60℃的混合溶液。 

8.根据权利要求7所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法，其特征在于，所述含Zn化合物是ZnO，所述ZnO、油酸以及十八烯的质量比为0.1～1∶0.3～3∶23.6～236。

9.根据权利要求8所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法，其特征在于，所述Cd溶液是由含Cd化合物、油酸和十八烯在氮气中150℃～300℃的温度条件下制备得到的混合溶液。

10.根据权利要求9所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法，其特征在于，所述含Cd化合物是CdO，所述CdO、油酸及十八烯的质量比是0.0064～0.128∶0.1125～1.125∶0.5～70。

11.根据权利要求9所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法，其特征在于，所述Te前体溶液、Se前体溶液和Zn前体溶液的体和比为0.1～3∶0.1～3∶0.1～3。