[发明专利]四边扁平无接脚封装方法有效
申请号: | 201010276372.9 | 申请日: | 2010-09-01 |
公开(公告)号: | CN102386104A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 卓恩民 | 申请(专利权)人: | 群成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 四边 扁平 无接脚 封装 方法 | ||
1.一种四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,包含下列步骤:
提供一封装载板,其中该封装载板至少一表面设置一可剥离金属层;
设置一第一影像转移层于该可剥离金属层上并暴露出部分该可剥离金属层的上表面;
电镀形成一第一图案化金属层于暴露于外的该可剥离金属层上,其中该第一图案化金属层包含多个第一导电接垫;
设置一第二影像转移层于该第一影像转移层上并暴露出部分这些第一导电接垫的上表面用以形成多个介电通孔;
电镀形成多个金属柱塞于这些介电通孔内;
移除该第一影像转移层与该第二影像转移层;
设置一第一芯片并与部分这些第一导电接垫电性连接;
利用一第一封装材料覆盖该第一芯片、这些金属柱塞、这些第一导电接垫与该可剥离金属层;
移除部份该第一封装材料至暴露出这些金属柱塞的上表面;
设置一第二图案化金属层于该第一封装材料的上表面并与这些金属柱塞电性连接,其中该第二图案化金属层包含多个第二导电接垫;
设置一第二芯片并与部分这些第二导电接垫电性连接;
利用一第二封装材料覆盖该第二芯片、这些第二导电接垫与该第一封装材料;
移除该封装载板并暴露出该可剥离金属层;以及
对该可剥离金属层进行一图案化程序用以形成多个外部接点,其中这些外部接点与这些第一导电接垫以及这些第二导电接垫电性连接。
2.根据权利要求1所述的四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,该封装载板的该表面可为金属材质或金属易剥离表面。
3.根据权利要求1所述的四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,这些外部接点每一个的尺寸大于这些导电接垫每一个的尺寸。
4.根据权利要求1所述的四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,这些外部接点重新布线这些导电接垫。
5.根据权利要求1所述的四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,这些外部接点是导电柱。
6.根据权利要求1所述的四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,还包含形成一金属表面处理层于这些外部接点、这些第一导电接垫或这些第二导电接垫上。
7.根据权利要求1所述的四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,设置该第二图案化金属层的步骤还包含:
形成一金属层于该第一封装材料的上表面;以及
蚀刻该金属层以形成该第二图案化金属层。
8.一种四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,包含下列步骤:
提供一封装载板,其中该封装载板至少一表面设置一可剥离金属层;
设置一第一影像转移层于该可剥离金属层上并暴露出部分该可剥离金属层的上表面;
电镀形成一第一图案化金属层于暴露于外的该可剥离金属层上,其中该第一图案化金属层包含多个第一导电接垫;
设置一第二影像转移层于该第一影像转移层上并暴露出部分这些第一导电接垫的上表面用以形成多个介电通孔;
电镀形成多个金属柱塞于这些介电通孔内;
移除该第一影像转移层与该第二影像转移层;
设置一第一芯片并与部分这些第一导电接垫电性连接;
利用一第一封装材料覆盖该第一芯片、这些金属柱塞、这些第一导电接垫与该可剥离金属层;
移除部份该第一封装材料至暴露出这些金属柱塞的上表面;
设置一第二图案化金属层于该第一封装材料的上表面并与这些金属柱塞电性连接,其中该第二图案化金属层包含多个第二导电接垫;
设置一第二芯片并与部分这些第二导电接垫电性连接;
利用一第二封装材料覆盖该第二芯片、这些第二导电接垫与该第一封装材料;
移除该封装载板并暴露出该可剥离金属层;以及
利用一蚀刻程序移除该可剥离金属层。
9.根据权利要求8所述的四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,该蚀刻程序还移除部份厚度的该第一图案化金属层。
10.根据权利要求8所述的四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,还包含形成一金属表面处理层于这些第一导电接垫或这些第二导电接垫的表面上。
11.根据权利要求8所述的四边扁平无接脚封装方法,其特征在于,设置该第二图案化金属层的步骤还包含:
形成一金属层于该该第一封装材料的上表面;以及
蚀刻该金属层以形成该第二图案化金属层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群成科技股份有限公司,未经群成科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010276372.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:锂二次电池
- 下一篇:一种叠层有机薄膜太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造