[发明专利]四边扁平无接脚封装方法有效
申请号: | 201010276372.9 | 申请日: | 2010-09-01 |
公开(公告)号: | CN102386104A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 卓恩民 | 申请(专利权)人: | 群成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 四边 扁平 无接脚 封装 方法 | ||
技术领域
本发明有关一种半导体封装技术,特别是有关一种四边扁平无接脚(quad flatno-lead)封装方法。
背景技术
于半导体封装工艺中,由于电子产品轻薄短小的趋势加上功能不断增多,使得封装密度随之不断提高,亦不断缩小封装尺寸与改良封装技术。如何开发高密度与细间距的封装工艺与降低制造成本一直为为此技术领域的重要课题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明目的之一是提供一种四边扁平无接脚封装方法,可获得高密度与细间距的封装工艺。
本发明目的之一是提供一种四边扁平无接脚封装方法,可使用现有技术与双面工艺,且与使用基板相较具有较低的成本与优势。
为了达到上述目的,根据本发明一方面提供一种四边扁平无接脚封装方法,包括下列步骤:提供一封装载板,其中封装载板至少一表面设置一可剥离金属层;设置一第一影像转移层于可剥离金属层上并暴露出部分可剥离金属层的上表面;电镀形成一第一图案化金属层于暴露于外的可剥离金属层上,其中第一图案化金属层包含多个第一导电接垫;设置一第二影像转移层于第一影像转移层上并暴露出部分第一导电接垫的上表面用以形成多个介电通孔(via);电镀形成多个金属柱塞(plug)于介电通孔内;移除第一影像转移层与该第二影像转移层;设置一第一芯片并与部分第一导电接垫电性连接;利用一第一封装材料覆盖第一芯片、金属柱塞、第一导电接垫与可剥离金属层;移除部份第一封装材料至暴露出金属柱塞的上表面;设置一第二图案化金属层于第一封装材料的上表面并与金属柱塞电性连接,其中第二图案化金属层包含多个第二导电接垫;设置一第二芯片并与部分第二导电接垫电性连接;利用一第二封装材料覆盖第二芯片、第二导电接垫与第一封装材料;移除封装载板并暴露出可剥离金属层;以及对可剥离金属层进行一图案化程序用以形成多个外部接点,其中外部接点与第一导电接垫以及第二导电接垫电性连接。
根据本发明另一方面提供一种四边扁平无接脚封装方法,包括下列步骤:提供一封装载板,其中封装载板至少一表面设置一可剥离金属层;设置一第一影像转移层于可剥离金属层上并暴露出部分可剥离金属层的上表面;电镀形成一第一图案化金属层于暴露于外的可剥离金属层上,其中第一图案化金属层包含多个第一导电接垫;设置一第二影像转移层于第一影像转移层上并暴露出部分第一导电接垫的上表面用以形成多个介电通孔(via);电镀形成多个金属柱塞(plug)于介电通孔内;移除第一影像转移层与第二影像转移层;设置一第一芯片并与部分第一导电接垫电性连接;利用一第一封装材料覆盖第一芯片、金属柱塞、第一导电接垫与可剥离金属层;移除部份第一封装材料至暴露出金属柱塞的上表面;设置一第二图案化金属层于第一封装材料的上表面并与金属柱塞电性连接,其中第二图案化金属层包含多个第二导电接垫;设置一第二芯片并与部分第二导电接垫电性连接;利用一第二封装材料覆盖第二芯片、第二导电接垫与第一封装材料;移除封装载板并暴露出可剥离金属层;以及利用一蚀刻程序移除可剥离金属层。
本发明的有益技术效果是:本发明的四边扁平无接脚封装方法通过使用具有可剥离金属层的封装载板,并可利用此可剥离金属层进行图案化作为其后封装体外部接点,提供整体封装工艺与封装结构的多样性。另外,所有工艺皆可使用既有技术与设备,并未增加成本与困难度。而且,由于图案化可剥离金属层的工艺是使用影像转移技术或平版印刷微影技术,因此可有效达成高密度与细间距的结构。本发明除可使用现有技术外,亦可应用于双面工艺。且本发明与一般使用基板的封装方法相比,封装载板亦可选用可回收或重复使用材质,因此具有较低的成本与较佳的优势。此外,本方法可配合利用电镀技术制作特殊结构且细间距的导电接垫结构。
附图说明
以下通过具体实施例配合附图详加说明,当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效,其中:
图1A、图1B、图1C、图1D、图1E、图1F、图1G、图1H、图1I、图1J、图1K与图1L为本发明一实施例的流程示意图。
图2为本发明一实施例的示意图。
图3为本发明一实施例的示意图。
图4A、图4B、图4C与图4D为本发明不同实施例的示意图。
图5A、图5B、图5C与图5D为本发明不同实施例的示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造