[发明专利]堆栈式半导体封装件的制造方法

权利要求书

1.一种制造方法，包括：

提供一基底，该基底包括一上表面及数个邻接于该基底的该上表面的接触垫；

施加一导电材料至该基底的该上表面，以形成数个分别邻接于该些接触垫的导电凸块；

电性连接一半导体组件至该基底的该上表面；

施加一封胶材料至该基底的该上表面，以形成一封胶结构，该封胶结构覆盖该些导电凸块及该半导体组件，该封胶结构包括一第一上表面，且该些导电凸块的数个上端低于该封胶结构的该第一上表面；

形成一组切口，该组切口部份地延伸贯穿该封胶结构与该些导电凸块，以形成数个截头导电凸块，该封胶结构包括一第二上表面，该第二上表面低于该封胶结构的该第一上表面，该些截头导电凸块的数个上端实质上对齐该封胶结构的该第二上表面；及

回焊该些截头导电凸块，以形成数个回焊导电凸块，该些回焊导电凸块的数个上端突出于该封胶结构的该第二上表面。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中该封胶结构具有一对应于该封胶结构的该第一上表面的第一厚度H_P1，及一对应于该封胶结构的该第二上表面的第二厚度H_P2，且H_P2＜H_P1。

3.如权利要求2所述的制造方法，其中H_P2在H_P1的1/10至2/3的范围内。

4.如权利要求3所述的制造方法，其中H_P2在H_P1的1/4至1/2的范围内。

5.如权利要求2所述的制造方法，其中至少一个该回焊导电凸块具有一高度H_C，且H_C＞H_P2。

6.如权利要求5所述的制造方法，其中H_C-H_P2＝D_C，且D_C在5微米至120微米的范围内。

7.如权利要求6所述的制造方法，其中D_C在10微米至100微米的范围内。

8.如权利要求1所述的制造方法，更包括施加一助焊剂材料至该些截头导电凸块的该些上端。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中施加该助焊剂材料的该步骤在回焊该些截头导电凸块的该步骤之前执行。

10.如权利要求1所述的制造方法，其中该组切口相当于一第一组切口，且该制造方法更包括形成一第二组切口，该第二组切口延伸贯穿该封胶结构及该基底，以形成一第一半导体封装件。

11.如权利要求10所述的制造方法，更包括迭设一第二半导体封装件于该第一半导体封装件上，以形成一堆栈式封装组件。

12.一种制造方法，包括：

提供一第一半导体封装件，该第一半导体封装件包括一基底单元、数个第一连接组件、一半导体组件及一封装主体，该基底单元包括一上表面，该些第一连接组件从该基底单元的该上表面向上延伸，至少一个该第一连接组件具有一高度H_C，该半导体组件邻接于该基底单元的该上表面，且电性连接至该基底单元，该封装主体邻接于该基底单元的该上表面并且覆盖该半导体组件，该封装主体邻近该半导体组件处具有一第一厚度H_P1，且该封装主体邻近于该些第一连接组件处具有一第二厚度H_P2，使得H_P2＜H_P1且H_C＞H_P2；

提供一第二半导体封装件，该第二半导体封装件包括一下表面及数个第二连接组件，该些第二连接组件由该第二半导体封装件的该下表面向下延伸；

相对该第一半导体封装件设置该第二半导体封装件，使得该些第二连接组件各自相邻于该些第一连接组件；及

融合各别成对的该些第一连接组件与该些第二连接组件，以形成数个堆栈组件，该些堆栈组件电性连接该第一半导体封装件及该第二半导体封装件。

13.如权利要求12所述的制造方法，其中H_P2＜H_C＜H_P1。