[发明专利]堆栈式半导体封装件的制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件，且特别是有关于一种堆栈式半导体封装件。

背景技术

电子产品至少在某种程度上受到增进功能及缩小尺寸的驱使而日益地趋于复杂。当增进功能及缩小尺寸的优点显而易见时，达成这些优点的同时可能也会产生问题。尤其，电子产品一般都需要在有限的空间内容纳高密度的半导体组件。举例来说，于手机、个人数字助理、手提电脑、与其它可携式消费产品中，用以容纳处理器、存储装置、及其它主动或被动装置的空间可能相当地局限。半导体组件一般经由封装的方式提供保护使其免于环境条件的伤害，并且提供输入和输出的电性连接。封装半导体组件于半导体封装件中可能占用电子产品内的额外可用的空间。在此情况下，有很强的驱使力朝向减少被半导体封装件占用的脚位区域。关于此方面的其中一种实施方式将半导体封装件彼此堆栈，以形成一个堆栈式封装组件，又叫做迭层封装(Package-on-Package，PoP)。

图1绘示依照传统方式实施的堆栈式封装组件100。上封装件102设置于下封装件104之上，且两者以电性连接。上封装件102包括基底单元106及半导体组件108，半导体组件108设置在基底单元106的上表面118。上封装件102也包括覆盖半导体组件108的封装主体110。同样地，下封装件104包括基底单元112、半导体组件114、以及封装主体116，半导体组件114设置于基底单元112的上表面120上，封装主体116覆盖半导体组件114。请参照图1，封装主体116的侧向长度短于基底单元112的侧向长度，使得上表面120的外围部位维持暴露在外。焊锡球延伸于此外围部位和基底单元106的下表面122之间，焊锡球包括原本是上封装件102的一部分的焊锡球124a及124b，且焊锡球124a及124b于堆栈操作中回焊以电性连接上封装件102于下封装件104。如图1所示，下封装件104包括焊锡球126a、126b、126c、以及126d，焊锡球126a-126d自基底单元112的下表面128延伸，并提供组件100的输入及输出的电性连接。

当在给定的脚位区域完成高密度的半导体组件108及114时，组件100可能具有许多缺点。尤其，例如是焊锡球124a及124b的相对较大的焊锡球，横跨上封装件102及下封装件104之间的距离而占据了基底单元112的上表面120上的可用空间，因而阻碍了减少相邻的焊锡球之间距的可能，也妨碍了增加焊锡球的总数的可能。并且，在回焊的时候，焊锡球124a及124b可能无法充分贴附于下封装件104的基底单元112，使得制造组件100时可能会面临不合意的低堆栈良率。在形成封装主体116的封胶操作时，不充分贴附的情况可能恶化，因为封胶材料可能有溢出到上表面120的周围的倾向，并污染上表面120的周围。此外，由于封装主体116的侧向长度的减少，组件100可能有弯曲或变形的倾向，组件100的弯曲或变形可能在焊锡球124a及124b上产生充分的应力而导致连接失败。

在这样的技术背景下，发展可堆栈式半导体封装件和相关堆栈封装组件及方法的需求产生，且将叙述于此。

发明内容

本发明的一方面有关于一种制造方法。在一实施例中，制造方法包括：(1)提供一包括有上表面及接触垫的基底，接触垫邻接于基底的上表面；(2)施加一导电材料于基底的上表面，以形成分别邻接于接触垫的导电凸块；(3)电性连接一半导体组件至基底的上表面；(4)施加一封胶材料至基底的上表面，以形成覆盖导电凸块及半导体组件的封胶结构，封胶结构包括第一上表面，导电凸块的上端设置于封胶结构的第一上表面的下方；(5)形成一组切口，切口部份地延伸贯穿封胶结构与导电凸块，以形成截头导电凸块，封胶结构包括第二上表面，第二上表面设置于封胶结构的第一上表面下方，截头导电凸块上端实质上对齐封胶结构的第二上表面；以及(6)回焊截头导电凸块以形成回焊导电凸块，回焊导电凸块的上端突出于封胶结构的第二上表面。