[发明专利]半导体封装结构及其制作工艺

权利要求书

1.一种半导体封装制作工艺，包括：

配置一封装母板于一载具上，该封装母板具有远离该载具的一承载面以及立于该承载面上的一格栅墙，该格栅墙以及该承载面共同定义出多个凹部；

分别接合多个第一芯片至该封装母板的该些凹部，每一第一芯片内具有多个穿硅导孔；

形成一第一底胶于每一第一芯片与相应的该封装母板之间；

形成一披覆层于该载具上，该披覆层覆盖该封装母板以及该些第一芯片；

由该载具上方来薄化该披覆层以及该格栅墙，直至位于该格栅墙上方以及该些第一芯片上方的该披覆层被完全移除；

暴露出每一第一芯片内的该些穿硅导孔的一端；

接合多个第二芯片至该些第一芯片；

形成一第二底胶于每一第二芯片与相应的该第一芯片之间；

分离该载具与该封装母板；以及

裁切该封装母板，以获得多个封装单元，其中该封装母板被裁切为多个封装基材。

2.如权利要求1所述的半导体封装制作工艺，其中该第一底胶是在每一第一芯片与该封装母板接合前被预先配置在该凹部内。

3.如权利要求1所述的半导体封装制作工艺，其中该第一底胶是在每一第一芯片与该封装母板接合后被填入每一第一芯片与该封装母板之间。

4.如权利要求1所述的半导体封装制作工艺，其中该第二底胶是在每一第二芯片与相应的该第一芯片接合前被预先配置在该第一芯片上。

5.如权利要求1所述的半导体封装制作工艺，其中该第二底胶是在每一第二芯片与相应的该第一芯片接合后被填入每一第二芯片与相应的该第一芯片之间。

6.如权利要求1所述的半导体封装制作工艺，其中在暴露出每一穿硅导孔的该端之后，还包括对每一穿硅导孔的该端进行表面加工。

7.如权利要求1所述的半导体封装制作工艺，其中在覆晶接合该些第二芯片至该些第一芯片，并且形成该第二底胶之后，还包括形成一封装胶体于该封装母板上，该封装胶体覆盖该格栅墙与该些第二芯片，且在裁切该封装母板的同时，裁切该封装胶体。

8.一种半导体封装结构，包括：

封装基材，具有一承载面；

第一芯片，接合至该封装基材，该第一芯片内具有多个穿硅导孔，该封装基材的该承载面上立有围绕该第一芯片的一侧墙，且该侧墙的顶面与该第一芯片的顶面实质上相互齐平；

第一底胶，配置于该第一芯片与该封装基材之间；

第二芯片，配置于该第一芯片上方，并接合至该第一芯片的该些穿硅导孔；以及

第二底胶，配置于该第二芯片与该第一芯片之间。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其中该侧墙与该封装基材的该承载面共同定义出一凹部，且该第一底胶填满该凹部。

10.如权利要求8所述的半导体封装结构，其中该第二芯片的尺寸大于该第一芯片的尺寸。

11.如权利要求8所述的半导体封装结构，还包括一表面处理层，配置于每一穿硅导孔突出该第一芯片的一端上。

12.如权利要求8所述的半导体封装结构，还包括：

多个焊球，配置于该封装基材的底部。

13.如权利要求8所述的半导体封装结构，还包括：

封装胶体，配置于该封装基材上，且该封装胶体覆盖该侧墙与该第二芯片。

14.如权利要求13所述的半导体封装结构，其中该封装胶体的侧面、该侧墙的侧面以及该封装基材的侧面实质上相互齐平。