[发明专利]被加工物的激光加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等被加工物(workpiece：工件)进行加工的激光加工方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，在半导体晶片等板状的被加工物的表面呈格子状地排列第一分割预定线和第二分割预定线，在由所述第一分割预定线和第二分割预定线划分出的区域内形成功能元件。然后，通过沿第一分割预定线和第二分割预定线对形成有功能元件的被加工物进行分割，来制造出一个个芯片。

此处，作为沿第一分割预定线和第二分割预定线分割被加工物的方法，尝试了这样的激光加工方法：使用相对于被加工物具有透射性的红外光区域的脉冲状的加工用激光光线(脉冲激光光线)，将聚光点对准被加工物的内部照射该脉冲激光光线(例如，参照专利文献1、2)。在使用了该激光加工方法的分割方法中，首先，在将聚光点对准被加工物的内部的状态下，利用激光照射构件从被加工物的一个面侧照射所述脉冲激光光线，在被加工物的内部连续地形成沿着分割预定线的改性区域。然后，通过对被加工物施加外力，使被加工物沿着通过形成改性区域而强度降低了的分割预定线断裂从而分割开来。

此外，在专利文献2中，在被加工物的厚度方向的中央部形成沿着第一分割预定线和第二分割预定线的改性区域(变质层)，并且在第一分割预定线与第二分割预定线的交叉区域形成厚度比所述改性区域要厚的改性区域，由此防止了分割后的芯片的抗弯强度的降低。

专利文献1：日本专利第3408805号公报

专利文献2：日本特开2005-332841号公报

专利文献3：日本特开2006-171530号公报

但是，在上述专利文献2的技术中，由于沿着排列于被加工物表面的第一分割预定线和第二分割预定线的改性区域形成于被加工物内部的厚度方向的中央部，所以存在这样的情况：在分割时以这些改性区域为起点产生的断裂斜着产生，从而偏离分割预定线。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供一种能够沿分割预定线高精度地分割被加工物的激光加工方法。

为了解决上述问题以达到目的，本发明所涉及的被加工物的激光加工方法是沿着第一分割预定线和第二分割预定线分割被加工物的加工方法，所述被加工物构成为：在通过所述第一分割预定线和与该第一分割预定线交叉的所述第二分割预定线划分出的表面侧的区域内形成有功能元件，所述被加工物的激光加工方法的特征在于，该被加工物的激光加工方法包括以下工序：第一改性区域形成工序，在该第一改性区域形成工序中，沿着所述第一分割预定线和所述第二分割预定线照射相对于所述被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，从而在所述被加工物的内部、且在该被加工物的表面附近形成第一改性区域；第二改性区域形成工序，在该第二改性区域形成工序中，向所述第一分割预定线与所述第二分割预定线交叉的交叉区域照射所述脉冲激光光线，从而在所述被加工物的背面与形成于所述被加工物的内部的所述第一改性区域之间的预定位置形成第二改性区域；以及分割工序，在该分割工序中，对形成有所述第一改性区域和所述第二改性区域的所述被加工物施加外力，从而将所述被加工物沿着所述第一分割预定线和所述第二分割预定线分割成一个个芯片。

此外，在上述发明中，本发明所涉及的被加工物的激光加工方法的特征在于，所述加工方法包括保护带粘贴工序，在该保护带粘贴工序中，将所述被加工物的表面侧粘贴至能够伸展的保护带，所述分割工序中，通过使粘贴于所述被加工物的表面侧的所述保护带伸展来对所述被加工物施加外力，从而沿着所述第一分割预定线和所述第二分割预定线分割所述被加工物。

此外，在上述发明中，本发明所涉及的被加工物的激光加工方法的特征在于，所述加工方法包括保护带粘贴工序，在该保护带粘贴工序中，将所述被加工物的背面侧粘贴至保护带，所述分割工序中，通过将所述被加工物向粘贴有所述保护带的背面侧弯折来对所述被加工物施加外力，从而沿着所述第一分割预定线和所述第二分割预定线分割所述被加工物。

此外，本发明所涉及的半导体器件的制造方法的特征在于，将利用上述加工方法分割而成的所述芯片的形成有所述功能元件的表面侧粘贴安装到玻璃基板上。

根据本发明，第一分割预定线和第二分割预定线在被加工物的表面划分出形成功能元件的区域，沿着所述第一分割预定线和第二分割预定线的第一改性区域形成于被加工物内部的表面附近，因此能够使以该第一改性区域为起点的断裂沿着第一分割预定线和第二分割预定线产生，从而能够沿着第一分割预定线和第二分割预定线高精度地分割被加工物。

附图说明

图1是表示实施方式1中的被加工物的结构示例的立体图。