[发明专利]蚀刻装置无效
| 申请号： | 201010278059.9 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102208343A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 中田胜利;松元俊二 | 申请（专利权）人： | 住友精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/306;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
1.一种蚀刻装置，其特征在于：其是对至少包含金属膜及其下层的含硅膜的基板的上述金属膜及含硅膜进行蚀刻，该蚀刻装置包括：
搬送装置，其朝特定的搬送方向搬送上述基板；
第1蚀刻部，其将蚀刻液供给至由上述搬送装置所搬送的基板上，以对上述金属膜进行蚀刻；
第1清洗部，其设置于比上述第1蚀刻部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用清洗液对金属膜蚀刻后的基板进行清洗；
第1干燥部，其设置于比上述第1清洗部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使清洗后的基板干燥；
第2蚀刻部，其设置于比上述第1干燥部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用至少包含氟系反应成分及氧化性反应成分的处理气体，在大致大气压下，对上述基板的含硅膜进行蚀刻；
第2清洗部，其设置于比上述第2蚀刻部更靠近上述搬送方向下流侧，且使用清洗液对含硅膜蚀刻后的基板进行清洗；以及
第2干燥部，其设置于比上述第2清洗部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使清洗后的基板干燥。
2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于：在上述第1干燥部与第2蚀刻部之间，沿上述搬送方向依序设置有：
使用清洗液对经上述第1干燥部干燥的基板进行二次清洗的二次清洗部；以及
使经上述二次清洗部清洗的基板干燥的二次干燥部。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻装置，其特征在于：将基板搬入搬出部设置于上述第2蚀刻部的近前处，该基板搬入搬出部是将上述基板搬出至系统之外，另一方面，自系统之外承接基板并搬入至上述第2蚀刻部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
