[发明专利]蚀刻装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种对包含金属膜及其下层的含硅膜的基板的上述金属膜及含硅膜进行蚀刻的装置。

背景技术

先前，对于在上层例如形成有铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)或钼(Mo)等的金属膜，在下层形成有非晶硅层或氮化硅层等的含硅膜的基板而言，首先，对上述金属膜进行蚀刻，继而对含硅膜进行蚀刻，从而形成所期望的结构物。

在该情形时，当对上述金属膜进行蚀刻时，使用利用有蚀刻液的所谓湿式蚀刻装置，当对含硅膜进行蚀刻时，使用将反应性气体电浆化而进行蚀刻的所谓电浆干式蚀刻装置。

而且，作为上述湿式蚀刻装置，本申案申请人例如已提出日本专利特开2003-347269号公报所揭示的装置。如该公报所述，该装置包括：将蚀刻液供给至基板上而对该部位进行蚀刻的蚀刻部，将清洗水供给至经蚀刻的基板上而进行水洗的水洗部，使水洗后的基板干燥的干燥部，及将基板依序搬送至所述的这些蚀刻部、水洗部及干燥部的搬送装置等。

又，作为上述电浆干式蚀刻装置，先前，众所周知例如日本专利特表2002-506572号公报所揭示的装置。该装置是将反应性气体导入至蚀刻腔室内并电浆化，生成反应种，凭借所生成的反应种对搬入且载置于其下方的基板进行蚀刻。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2003-347269号公报

[专利文献2]日本专利特表2002-506572号公报

然而，先前，于多数情形下，上述湿式蚀刻装置与电浆干式蚀刻装置设置于彼此远离的场所，必需使用适当的移送装置将湿式蚀刻后的基板移送至电浆干式蚀刻装置。

作为其理由之一，于电浆干式蚀刻中，若水分残留于基板上，则该水分会对蚀刻造成不良影响，因此，必需使基板完全干燥，故而先前，并未将湿式蚀刻装置与电浆干式蚀刻装置直接连结，而是以使所述的这些蚀刻装置分离的状态进行设置，并且将湿式蚀刻后的基板另外装设于干燥装置以使的干燥，或将该基板放置特定时间而使的完全干燥，然后，将该基板装设于电浆干式蚀刻装置。

因此，直至一个基板的蚀刻完成为止的时间长，自生产效率的方面考虑，其前置时间的削减成为问题。

又，因需要湿式蚀刻装置及电浆干式蚀刻装置的设置区域、及移送装置或堆场等用于生产的广阔区域，为了削减生产成本，需要进一步减小装置的占据面积。

发明内容

本发明是鉴于以上的实际情况经开发而成者，其目的在于提供一种生产的前置时间短且可实现小型化的蚀刻装置。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种蚀刻装置，其特征在于：其用来对至少包含金属膜及其下层的含硅膜的基板的上述金属膜及含硅膜进行蚀刻，该蚀刻装置包括：

搬送装置，其朝特定的搬送方向搬送上述基板；

第1蚀刻部，其将蚀刻液供给至由上述搬送装置所搬送的基板上，以对上述金属膜进行蚀刻；

第1清洗部，其设置于比上述第1蚀刻部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用清洗液对金属膜蚀刻后的基板进行清洗；

第1干燥部，其设置于比上述第1清洗部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使清洗后的基板干燥；

第2蚀刻部，其设置于比上述第1干燥部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用至少包含氟系反应成分及氧化性反应成分的处理气体，在大致一个大气压下，对上述基板的含硅膜进行蚀刻；

第2清洗部，其设置于比上述第2蚀刻部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使用清洗液对含硅膜蚀刻后的基板进行清洗；以及

第2干燥部，其设置于比上述第2清洗部更靠近上述搬送方向下游的一侧，且使清洗后的基板干燥。

其中：在上述第1干燥部与第2蚀刻部之间，沿上述搬送方向依序设置有：

使用清洗液对经上述第1干燥部干燥的基板进行二次清洗的二次清洗部；以及

使经上述二次清洗部清洗的基板干燥的二次干燥部。

其中：基板搬入搬出部设置于上述第2蚀刻部的近前处，该基板搬入搬出部是将上述基板搬出至系统之外，另一方面，自系统之外承接基板并搬入至上述第2蚀刻部。

近来，如下蚀刻法(由于使用气体而非蚀刻液，及于大致大气压下进行蚀刻，故而为了便于说明，以下称为「大气压干式蚀刻法」)及其装置被开发，且广受关注，该蚀刻法是使用包含氟系反应成分及氧化性反应成分的处理气体，于大致大气压下，对基板上的含硅膜进行蚀刻。