[发明专利]一种控制工艺腔体内温度的系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件生产领域，尤其涉及一种应用于Aspen CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)氮化硅工艺的控制工艺腔体内温度的系统。

背景技术

目前，通过化学反应在晶片上形成薄膜的CVD方法，由于其在薄膜厚度的一致性和薄膜的阶梯覆盖特性方面都较为优秀，因此，CVD方法受到了较为广泛的应用。在对晶片形成薄膜的工艺过程中，需要通过加热系统来保持工艺腔体内的温度稳定在设定的温度范围内，在该设定的温度范围内能够提高晶片上形成薄膜的成功率和效果，因此，对于Aspen CVD设备而言，腔体内的加热器的作用则显得尤为重要，一旦加热器性能变差或为该加热器提供的电压不能达到的要求，将很可能会导致加热器不能产生期望功率，使得工艺腔体内的温度失控而引起整机台宕机的问题，继而导致工艺加工失败。

目前，解决上述问题的处理方式主要是更换加热器，以重新建立工艺腔体内的温度条件，从而继续投入正常使用，而购置加热器的周期一般是四周时间，恢复生产的时延较大，并且一台加热器的价格不菲，对FAB生产单位来说损失较大。

因此，如何提高CVD设备中的加热系统的性能，以保证加热系统能够为工艺加工提供期望的温度条件，以将工艺腔体内的温度稳定在设定的温度范围内，则成为目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明提供一种控制工艺腔体内温度的系统，为处于工艺腔体内的加热器提供期望电压，使得加热器在期望电压下为工艺腔体提供期望功率，并根据工艺腔体内的温度和设定的温度范围控制加热器启动或停止工作，从而将工艺腔体内的温度稳定在设定的温度范围内，提高工艺加工的成功率和效率。

一种控制工艺腔体内温度的系统，包括电压调节装置、输入端通过开关与电压调节装置的输出端相连接的加热器、连接在所述开关与加热器之间的温度控制器，其中加热器安装在工艺腔体中：

电压调节装置，用于将输入电压调节为加热器的期望电压并输出；

加热器，用于在所述电压调节装置输出的期望电压下工作；

温度控制器，用于根据工艺腔体内的温度和设置的温度范围，控制所述开关接通或断开。

本发明实施例中，通过电压调节装置可将厂务供电的电压调整为加热器的期望电压，并在温度控制器的控制下为工艺腔体提供期望功率，并根据工艺腔体内的温度和设定的温度范围控制加热器工作，从而将工艺腔体内的温度稳定在设定的温度范围内，为工艺加工提供较好的温度条件，提高工艺加工的成功率和效果，克服了由于加热器本身性能下降、厂务供电电压降等因素而使得加热器不能产生期望功率，从而导致对工艺腔体内温度失控的问题。

附图说明

图1A、图1B、图1C、图1D为本发明实施例中控制工艺腔体内温度的结构示意图；

图2为本发明实施例中变压器的结构示意图。

具体实施方式

为解决现有技术存在的技术问题，本发明实施例提供一种控制工艺腔体内温度的系统，该系统包括：电压调节装置、输入端通过开关与电压调节装置的输出端相连接的加热器、连接在所述开关与加热器之间的温度控制器，其中加热器安装在工艺腔体中：电压调节装置，用于将输入电压调节为加热器的期望电压并输出；加热器，用于在所述电压调节装置输出的期望电压下工作；温度控制器，用于根据工艺腔体内的温度和设置的温度范围，控制所述开关接通或断开。采用本发明技术方案提供的系统，由于在接收厂务供电的一端设置有电压调节装置，该电压调节装置可将厂务供电的电压调整为加热器的期望电压，加热器在温度控制器的控制下，在期望电压下能够产生期望功率，并根据工艺腔体内的温度和设定的温度范围控制加热器工作，从而将工艺腔体内的温度稳定在设定的温度范围内，克服了由于加热器本身性能下降、厂务供电电压降等因素而使得加热器不能产生期望功率，从而导致对工艺腔体内温度失控的问题。

下面结合附图对本发明技术方案进行详细的描述。

参见图1A，为本发明实施例中化学气相沉积加热系统的结构示意图，该加热系统包括电压调节装置10、输入端通过开关12与电压调节装置10输出端相连接的加热器14、连接在开关12与加热器14之间的温度控制器15，其中加热器14安装在工艺腔体中：

电压调节装置10，用于将输入电压调节为加热器的期望电压并输出。

加热器14，在电压调节装置10输出的期望电压下工作。

温度控制器15，用于根据工艺腔体内的温度和设置的温度范围，控制开关12接通或断开。