[发明专利]有机发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管，包括：

第一电极；

第一空穴传输层，设于该第一电极上；

第二空穴传输层，设于该第一空穴传输层上；

第一发光层，设于该第二空穴传输层上，该第一发光层在最低未占据轨域的能阶小于该第二空穴传输层在最低未占据轨域的能阶；

电子传输层，设于该第一发光层上；

电子注入层，设于该电子传输层上；以及

第二电极，设于该电子注入层上；

其中，该第一空穴传输层的厚度大于该第二空穴传输层的厚度。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管，还包括：

第三空穴传输层，设于该第一发光层上；以及

第二发光层，设于该第三空穴传输层上；

其中，该第三空穴传输层的厚度小于该第二空穴传输层的厚度，且该第二发光层的厚度大于该第一发光层的厚度。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管，其中，该第二空穴传输层的厚度范围为5nm～20nm。

4.如权利要求2所述的有机发光二极管，其中，该第一发光层和该第二发光层的厚度总和的范围为110nm～150nm。

5.如权利要求2所述的有机发光二极管，其中，该第三空穴传输层的厚度不大于5nm。

6.如权利要求2所述的有机发光二极管，其中，该第一空穴传输层为3，4聚乙烯二羟噻吩-聚苯乙烯磺酸盐。

7.如权利要求2所述的有机发光二极管，其中，该第二空穴传输层和该第三空穴传输层均为1，1-贰[(二-4-甲苯基胺基)苯基]环己烷。

8.如权利要求2所述的有机发光二极管，其中该第一发光层和该第二发光层均为2，7-双(2[苯基(间甲苯基)氨基]-9，9-二甲基芴-7-基)-9，9-二甲基芴。

9.一种有机发光二极管的制造方法，该方法包括如下步骤：

提供基板；

将第一电极设置在该基板上；

将第一空穴传输层设置在该第一电极上；

将第二空穴传输层设置在该第一空穴传输层上；

将第一发光层设置在该第二空穴传输层上，且该第一发光层在最低未占据轨域的能阶小于该第二空穴传输层在最低未占据轨域的能阶；

将电子传输层设置在该第一发光层上；

将电子注入层设置在该电子传输层上；以及

将第二电极设置在该电子注入层上；

其中，该第一空穴传输层的厚度大于该第二空穴传输层的厚度。

10.如权利要求9所述的有机发光二极管的制造方法，还包括如下步骤：

将第三空穴传输层设置在该第一发光层上；以及

将第二发光层设置在该第三空穴传输层上；

其中，该第三空穴传输层的厚度小于该第二空穴传输层的厚度，且该第二发光层的厚度大于该第一发光层的厚度。

11.如权利要求10所述的有机发光二极管的制造方法，其中，该第二空穴传输层的厚度范围为5nm～20nm。

12.如权利要求10所述的有机发光二极管的制造方法，其中，该第一发光层和该第二发光层的厚度总和的范围为110nm～150nm。

13.如权利要求10所述的有机发光二极管的制造方法，其中，该第三空穴传输层的厚度不大于5nm。

14.如权利要求10所述的有机发光二极管的制造方法，其中，该第一空穴传输层为3，4聚乙烯二羟噻吩-聚苯乙烯磺酸盐。

15.如权利要求10所述的有机发光二极管的制造方法，其中，该第二空穴传输层及该第三空穴传输层均为1，1-贰[(二-4-甲苯基胺基)苯基]环己烷。

16.如权利要求10所述的有机发光二极管的制造方法，其中，该第一发光层和该第二发光层均为2，7-双(2[苯基(间甲苯基)氨基]-9，9-二甲基芴-7-基)-9，9-二甲基芴。