[发明专利]有机发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管及其制造方法，特别是涉及一种以多层结构限制电子的有机发光二极管及其制造方法。

背景技术

目前，有机发光二极管依次由第一电极层、空穴传输层(hole-transportinglayer，简称HTL)、有机发光层(light-emitting layer，简称EML)以及第二电极层设置于玻璃基板上。其中，由第二电极与第一电极产生的电子与空穴将因外加电场的作用而在有机发光层中移动并产生再结合，以释放出能量来激发有机发光层内的发光分子发光。

由上述可知，有机发光二极管的发光效率通常取决于电子与空穴是否可在有机发光层中有效结合。然而，由于有机发光二极管的各膜(层)间具有能阶差，且电子与空穴的传输速度不同，而公知这种有机发光二极管的膜层结构简单，其可调整的材料与结构参数有限，因此往往难以对电子与空穴的再结合提供有效的控制。如此一来，将使得有机发光二极管的发光效率不佳，而未结合的电子或空穴也可能对第二电极或第一电极造成破坏，导致有机发光二极管的使用寿命变短。

发明内容

根据上述公知技术中的问题，本发明的目的在于提供一种有机发光二极管及其制造方法，以解决有机发光二极管的发光效率不佳及使用寿命过短的问题。

根据本发明的目的，提出一种有机发光二极管，该有机发光二极管包括第一电极、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第一发光层、电子传输层、电子注入层以及第二电极。第一空穴传输层设于第一电极上，第二空穴传输层设于第一空穴传输层上。第一发光层设于第二空穴传输层上，且第一发光层在最低未占据轨域的能阶小于第二空穴传输层在最低未占据轨域的能阶。电子传输层设于第一发光层上，电子注入层设于电子传输层上，而第二电极则设于电子注入层上。其中，第一空穴传输层的厚度大于第二空穴传输层的厚度。

其中，本发明的有机发光二极管还包括第三空穴传输层和第二发光层。第三空穴传输层设于第一发光层上，而第二发光层设于第三空穴传输层上。第三空穴传输层的厚度小于第二空穴传输层的厚度，且第二发光层的厚度大于第一发光层的厚度。

其中，第二空穴传输层的厚度范围为5nm～20nm。

其中，第一发光层和第二发光层的厚度总和的范围为110nm～150nm。

其中，第三空穴传输层的厚度不大于5nm。

其中，第一空穴传输层为3，4聚乙烯二羟噻吩-聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)。

其中，第二空穴传输层和第三空穴传输层为1，1-贰[(二-4-甲苯基胺基)苯基]环己烷(TAPC)。

其中，第一发光层和第二发光层为2，7-双(2[苯基(间甲苯基)氨基]-9，9-二甲基芴-7-基)-9，9-二甲基芴(MDP3FL)。

根据本发明的目的，再提出一种有机发光二极管的制造方法，该方法包括如下步骤：提供基板；将第一电极设置在基板上；将第一空穴传输层设置在第一电极上；将第二空穴传输层设置在第一空穴传输层上；将第一发光层设置在第二空穴传输层上，且第一发光层在最低未占据轨域(the LowestUnoccupied Molecular Orbital，LUMO)的能阶小于第二空穴传输层在最低未占据轨域的能阶；将电子传输层设置在第一发光层上；接着将电子注入层设置在电子传输层上；最后将第二电极设置在电子注入层上。其中，第一空穴传输层的厚度大于第二空穴传输层的厚度。

其中，有机发光二极管的制造方法还包括将第三空穴传输层设置在第一发光层上，以及将第二发光层设置在第三空穴传输层上。第三空穴传输层的厚度小于第二空穴传输层的厚度，且第二发光层的厚度大于第一发光层的厚度。

其中，第二空穴传输层的厚度范围为5nm～20nm。

其中，第一发光层及第二发光层的厚度总和的范围为110nm～150nm。

其中，第三空穴传输层的厚度不大于5nm。

其中，第一空穴传输层为3，4聚乙烯二羟噻吩-聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)。

其中，第二空穴传输层和第三空穴传输层为1，1-贰[(二-4-甲苯基胺基)苯基]环己烷(TAPC)。

其中，第一发光层和第二发光层为2，7-双(2[苯基(间甲苯基)氨基]-9，9-二甲基芴-7-基)-9，9-二甲基芴(MDP3FL)。