[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及对半导体晶片、液晶用基板、有机EL元件等基板实施真空处理的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

在制造半导体器件、FPD(Flat Panel Display；平板显示器)时，对半导体晶片(以下，简称为“晶片”)、液晶用基板等实施成膜、蚀刻、氧化、扩散等各种处理。为了以高生产率(high through-put)进行这些处理，使用称作多室系统的基板处理装置。

作为这种基板处理装置的一个例子，如图9所示，公知有以下装置，该装置包括：前开式统集盒载置台1，其用于载置前开式统集盒(FrontOpening Unified Pod)，该前开式统集盒是收纳多个晶片的搬运容器；传送组件(Transfer Module：TM)2，其具有搬运晶片W的搬运臂5，并处于真空气氛中；多个工艺组件(Process Module：PM)3，配置在该传送组件2的周围，并在真空气氛下对晶片W施加预定的处理；装载组件(Loader Module：LM)4，其具有主搬运单元，并处于常压气氛中，该主搬运单元具有搬运晶片W的搬运臂；两个装载锁定组件(Load LockModule：LLM)6a、6b，配置在装载组件4和传送组件2之间，并能够在真空气氛与常压气氛之间进行切换；以及未图示的定向器(ORT)，其被设置成与装载组件4相邻，并预调准晶片W的方向。

该基板处理装置中的晶片的搬运路径例如如下：载置在前开式统集盒载置台1上的未处理的晶片W被按照LM4→ORT→LLM6a→TM2→PM3这一顺序搬运。然后，通过工艺组件3在预定的处理气体气氛下例如施加蚀刻处理之后，处理完的晶片W被按照TM2→LLM6b→LM4→前开式统集盒载置台1这一顺序搬运。

近年来，根据所使用的处理气体的种类，有时会发生以下问题：处理完的晶片W当返回到装载组件4时与空气中的水分发生反应，向其周边释放出腐蚀性气体。另外，由于生成腐蚀性气体的反应会持续一定时间，还会发生在返回来的前开式统集盒内腐蚀性气体污染未处理的晶片的问题。举出一个例子，在工艺组件3中，有时例如对HBr气体、CI₂气体等处理气体进行等离子化，对形成在晶片W上的多晶硅膜进行蚀刻。在此情况下，蚀刻处理带来的生成物(溴化硅、氯化硅等)残留在晶片W上。近年来，晶片W的设计规则变得更细化，图案的线宽也正变窄，因此副生成物容易残留在晶片W上所形成的构造之间等处。一旦将该晶片W运入处于常压气氛的装载组件4内，则溴化硅、氯化硅等与大气中的水分反应而生成溴化氢、氯化氢等腐蚀性气体并扩散，或者这些腐蚀性气体再与大气中存在微量的氨气反应而生成溴化铵、氯化铵等微粒子，而在装载组件4内扩散。

为了解决上述的问题，如图9所示，在基板处理装置上安装清洁贮存器7，该清洁贮存器7在常压气氛下临时保管处理完的晶片。由于可通过清洁贮存器7来清除处理完的晶片W由于与大气反应而生成的腐蚀性气体，因此能够防止从返回到前开式统集盒内的晶片释放出腐蚀性气体。

但是，当从装载锁定组件6b向清洁贮存器7搬运处理完的晶片W时，晶片W会通过装载组件4。装载组件4是在常压气氛下搬运晶片W的房间，因此晶片W进入装载组件4的瞬间就有可能从晶片4释放出腐蚀性气体。结果，装载组件4的金属部分例如搬运室的壁部、搬运单元等会被腐蚀，其腐蚀部分例如通过机械运动被摩擦并引起金属污染。为了防止该情况，对装载组件4实施加强排气、搬运室壁部的表面处理(TEFLON(注册商标)镀覆、氧化铝膜加工等)、耐蚀材料的选择等大规模的防腐蚀对策。

该大规模的防腐蚀对策导致装载组件的成本上升。在对近年来的基板处理装置要求低成本、可靠性高、加强安全、降低保养费等的情况下，对于装载组件，希望能够取消或减轻防腐蚀对策。为了降低腐蚀性气体对装载组件的影响，专利文献1公开了一种基板处理装置，其中，邻接装载锁定组件配置清洁贮存器，并通过装载组件的主搬运单元从装载锁定组件向清洁贮存器搬运处理完的基板。

(现有技术文献)

专利文献1：日本专利文献特开2008-53550号公报。

发明内容

(发明所要解决的问题)

但是，对于专利文献1中公开的基板处理装置来说，主搬运单元的一部分(例如，搬运晶片的搬运臂单元)与腐蚀性气体接触，在清洁贮存器中产生的腐蚀性气体可能会流入装载组件内，因此不能说是周全的防腐蚀对策。并且，由配置在装载组件上的一个主搬运单元承担从装载锁定组件向清洁贮存器搬运晶片的作业、以及将晶片从清洁贮存器送回前开式统集盒载置台的作业，因此还存在生产率下降的问题。