[发明专利]一种CMOS超宽带二分频器结构

权利要求书

1.一种CMOS超宽带二分频器结构，其特征在于，该结构包括两个主从结构差分模拟D锁存器，两个D锁存器接成负反馈形式；其输入为差分信号：                                               和，为正弦波信号，或者以为方波信号。

2.根据权利要求1所述的CMOS超宽带二分频器结构，其特征在于所述D锁存器由由8 个MOS管（M1—M8）组成；其中，第七、第八MOS管（ M7、M8）构成放大管，工作在时钟的跟随相，即信号CK的正半周期，其栅极接输入信号；第五、第六MOS管（M5、M6）构成锁存管，工作在时钟的锁存相，即信号CK的负半周期；第一、第二MOS管（M1、M2）构成一对随频率变化的动态负载，与放大管一起构成一种共源差分放大电路，提供一定增益；第三MOS管（M3）构成逻辑部分的动态偏置，工作在时钟的跟随相；第四MOS管（M4）构成锁存部分的动态偏置，工作在时钟的锁存相。

3.根据权利要求1或2所述的CMOS超宽带二分频器结构，其特征在于还包括一个频率到电压的转换电路；工作时，频率到电压的转换电路根据输入信号的频率输出电压给第一、第二MOS管（M1、M2）提供偏置，输出电压的大小随频率变化。

4.根据权利要求3所述的CMOS超宽带二分频器结构，其特征在于所述频率到电压的转换电路由电阻R1、电容C1，二极管D1、电阻R2和电容C2，电容C3、电阻R3组成；其中，电阻R1与电容C1构成低通滤波器；二极管D1、电阻R2和电容C2完成交流-直流转换功能；电容C3为隔直流电容，电阻R3为隔交流信号电阻，提供直流电压。