[发明专利]集成电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一第一裸片，包括至少一个穿透基底导孔；

一第二裸片，接合于该第一裸片之上，其中该第一裸片包括一第一表面，面对该第二裸片；以及

一模塑料，包括一部分在该第一裸片与该第二裸片之上，其中该模塑料接触该第一裸片的该第一表面，且其中该模塑料包括一第一部分延伸至该第一裸片的该第一表面下方。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括一封装基底接合至该第一裸片底下。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该模塑料还包括一第二部分直接在该第一裸片之上，且其中该第一部分与该第二部分由一相同材料形成。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第二裸片接合至该第一裸片中的该穿透基底导孔。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该模塑料包括一底部表面与该第一裸片的一第二表面齐平，且其中该第一裸片的该第二表面与该第一裸片的该第一表面为相反侧。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第二裸片的尺寸小于该第一裸片。

7.一种集成电路结构的形成方法，包括：

提供一底部裸片，包括多个穿透基底导孔；

将一顶端裸片接合至该底部裸片之上，其中该底部裸片包括一表面，面对该顶端裸片；以及

在该底部裸片与该顶端裸片上塑造一模塑料，其中该模塑料接触该顶端裸片及该底部裸片表面的该表面，且其中该模塑料包括一部分延伸至该底部裸片且包覆住该底部裸片的侧边。

8.如权利要求7所述的集成电路结构的形成方法，于接合该顶端裸片至该底部裸片之上的该步骤之前，还包括：

将一液态形式的接着材料固定至一载体上；

固化该接着材料；以及

将该底部裸片放置在该接着材料上。

9.如权利要求7所述的集成电路结构的形成方法，还包括：

将一切割胶带固定至该模塑料上；

移除该接着材料，使该载体与该模塑料、该顶端裸片及该底部裸片分离；以及

以切口线切割该模塑料，该切口线与该底部裸片的边缘及该顶端裸片的边缘隔开。

10.如权利要求7所述的集成电路结构的形成方法，还包括在该底部裸片上形成重分布线与凸块。