[发明专利]增加高压集成电路器件集成密度的半导体结构及制造方法

权利要求书

1.一种增加高压集成电路器件集成密度的半导体结构及制造方法，包括：

半导体衬底1，半导体2，埋层3，隔离深槽扩散区4，隔离深槽填充多晶5，穿透深槽扩散区6，穿透深槽填充多晶7，介质层8，隔离深槽金属接触扩散层9，穿透深槽金属接触扩散层10，金属层11，

其中，半导体衬底1与半导体2是相反导电类型半导体材料，埋层3导电类型与半导体2相同，且埋层3杂质浓度大于半导体2的杂质浓度；隔离深槽扩散区4导电类型与半导体衬底1相同，隔离深槽扩散区4杂质浓度大于半导体衬底1，也大于半导体2杂质浓度；穿透深槽扩散区6导电类型与半导体2相同，也与埋层3相同，穿透深槽扩散区6杂质浓度大于半导体2杂质浓度；隔离深槽金属接触扩散层9导电类型与隔离深槽扩散区4相同，穿透深槽金属接触扩散层10导电类型与穿透深槽扩散区6相同。

2.根据权利要求1所述的增加高压集成电路器件集成密度的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述隔离深槽扩散区4与穿透深槽扩散区6是相反导电类型扩散区，不用同一次深槽刻蚀过程和扩散来形成；扩散区4和扩散区6分别形成，可以先刻蚀隔离深槽后再进行扩散区4扩散，然后再刻蚀穿透深槽后再形成扩散区6；或者先刻蚀穿透深槽后再进行扩散区6扩散，然后再刻蚀隔离深槽后再形成扩散区4；无论扩散区4还是扩散区6，只进行杂质预扩散，不单独进行杂质再扩散。

3.根据权利要求1所述的增加高压集成电路器件集成密度的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述隔离深槽扩散区4杂质浓度面密度要求大于2×10¹²cm^-2。

4.根据权利要求1所述的增加高压集成电路器件集成密度的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述隔离深槽或者穿透深槽扩散后采用不掺杂多晶5或7将深槽填充。

5.根据权利要求1所述的增加高压集成电路器件集成密度的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述隔离深槽扩散区4和穿透深槽扩散区6表面进行相应杂质类型高浓度的杂质扩散，分别形成杂质扩散区9和10，以便进行良好的金属化欧姆接触，对隔离深槽扩散区4或穿透深槽扩散区6有良好的电压钳位，或者所述金属接触扩散层9和10在深槽扩散区4和6浓度足够形成金属欧姆接触以及此处金属接触孔能够被深槽扩散区4和6完全包含情况下可以省略。

6.根据权利要求1所述的增加高压集成电路器件集成密度的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述隔离深槽扩散区4要求与半导体衬底1相连接，穿透深槽扩散区6与埋层3相连接。