[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，具备：

包含发光层的半导体层，具有第一主面、与所述第一主面相反一侧的第二主面、以及连接所述第一主面和所述第二主面的第三主面；

第一电极部和第二电极部，设置在所述半导体层的所述第二主面；

第一绝缘膜，覆盖所述半导体层的所述第二主面和所述第三主面；以及

金属层，层叠在所述第一电极部和所述第二电极部中的至少所述第二电极部上，

其中，所述金属层延伸到对接近该金属层的所述第三主面进行覆盖的所述第一绝缘膜的延长部分上。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

覆盖所述第三主面的所述第一绝缘膜的厚度大于等于在基板上形成所述半导体层并在形成后将所述基板剥离时照射的激光的波长。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

所述第一绝缘膜是具有带隙能量的材料，该带隙能量大于在基板上形成所述半导体层并在形成后将所述基板剥离时照射的激光的能量。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

所述第二绝缘膜和所述半导体层是具有带隙能量的材料，该带隙能量小于在基板上形成所述半导体层并在形成后将所述基板剥离时照射的激光的能量。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

所述第二绝缘膜和所述半导体层是吸收激光的材料，该激光是在基板上形成所述半导体层并在形成后将所述基板剥离时照射的激光。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

所述金属层包含Al和Ti中的至少任意一种。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

所述金属层与所述第二电极部的表面接触。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

所述金属层与对接近该金属层的所述第三主面进行覆盖的所述第一绝缘膜接触。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还具备：

覆盖所述第一绝缘膜的第二绝缘膜；

贯穿所述第二绝缘膜并与所述第一电极部导通的第一布线；以及

贯穿所述第二绝缘膜并与所述第二电极部导通的第二布线。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，还具备：

设在所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜；

贯穿所述第三绝缘膜并与所述第一布线导通的第一金属柱；以及

贯穿所述第三绝缘膜并与所述第二布线导通的第二金属柱。

11.一种发光装置的制造方法，其特征在于，具备：

在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；

用第一绝缘膜覆盖所述半导体层的至少上表面及侧面的工序；

形成与所述半导体层导通的第一电极部及第二电极部的工序；

在所述第一电极部和所述第二电极部中的至少所述第二电极部上层叠金属层，并将所述金属层延伸形成到对与该金属层接近的所述侧面进行覆盖的所述第一绝缘膜的延长部分上的工序；

用第二绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜的工序；以及

从与所述基板的所述第一主面相反一侧的第二主面侧向所述半导体层照射激光来从所述半导体层剥离所述基板的工序，

其中所述第一绝缘膜的带隙能量大于所述激光的能量。

12.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，其特征在于：

覆盖所述侧面的所述第一绝缘膜的厚度大于等于所述激光的波长。

13.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，其特征在于：

所述第二绝缘膜的带隙能量和所述半导体层的带隙能量小于所述激光的能量。

14.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，其特征在于：

所述第二绝缘膜和所述半导体层吸收所述激光。

15.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，其特征在于：

所述金属层包含Al和Ti中的至少任意一种。

16.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，其特征在于：

以与所述第二电极部的表面接触的方式形成所述金属层。