[发明专利]发光装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于且要求2010年6月3日申请的在先日本专利申请No.2010-127507的优先权，该申请的所有内容通过引用方式包含于此。

技术领域

本发明涉及一种发光装置及其制造方法。

背景技术

发光装置的用途已经扩大到照明装置、图像显示装置的背光源、以及显示器装置等。

近年来，发光装置的小型化要求越来越高。另外，为了提高量产性，提出了使包含发光层的半导体层在基板上结晶生长，通过激光的照射将基板从半导体层上剥离，并分割为多个的制造方法。

但是，对于半导体层和设在该半导体层上的电极部的接触电阻，要求进一步低电阻化。

发明内容

本实施方式的发光装置具备：包含发光层的半导体层，其具有第一主面、与所述第一主面相反一侧的第二主面、以及连接所述第一主面和所述第二主面的第三主面；第一电极部和第二电极部，设置在所述半导体层的所述第二主面；第一绝缘膜，覆盖所述半导体层的所述第二主面和所述第三主面；以及金属层，层叠在所述第一电极部和所述第二电极部中的至少所述第二电极部上。所述金属层延伸到对接近所述金属层的所述第三主面进行覆盖的所述第一绝缘膜的延长部分上。

另外，另一实施方式的发光装置的制造方法具备：在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；用第一绝缘膜覆盖所述半导体层的至少上表面及侧面的工序；形成与所述半导体层导通的第一电极部及第二电极部的工序；在所述第一电极部和所述第二电极部中的至少所述第二电极部上层叠金属层，并将所述金属层延伸形成到对与所述金属层接近的所述侧面进行覆盖的所述第一绝缘膜的延长部分上的工序；用第二绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜的工序；以及从与所述基板的所述第一主面相反一侧的第二主面侧向所述半导体层照射激光来从所述半导体层剥离所述基板，同时，隔着所述第一绝缘膜向所述金属层照射所述激光，加热所述金属层的工序。所述第一绝缘膜的带隙能量大于所述激光的能量。

附图说明

图1是第一实施方式的发光装置的截面示意图。

图2是举例说明各种金属材料的能量密度(フルエンス：fluence)阈值的图。

图3是图1中的主要部分的扩大截面图。

图4是第二实施方式的发光装置的制造方法的流程图。

图5是晶片状态下的实施方式的发光装置的制造方法的平面示意图。

图6A～图12是第二实施方式的发光装置的制造方法的截面示意图。

图13是第三实施方式的发光装置的截面示意图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式。

此外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度和宽度的关系、部分间的大小比例系数等，未必限于和现实中相同。另外，即使表示相同部分的情况下，也有可能根据附图使相互的尺寸和比例系数不同地进行表示。

另外，本申请的说明书和各附图中，对于和已提出的图中所述要素相同的要素，附以相同标记并适当省略详细说明。

(第1实施方式)

图1是举例说明第一实施方式的发光装置的截面示意图。

本实施方式的发光装置110具备：包含发光层的半导体层5，其具有第一主面5a、与第一主面5a相反一侧的第二主面5b、以及连接第一主面5a和第二主面5b的第三主面5c；第一电极部14和第二电极部15，设置在半导体层5的第二主面5b上；第一绝缘膜13，覆盖半导体层5的第二主面5b和第三主面5c；金属层40(B)，层叠在第一电极部14和第二电极部15中的至少第二电极部15上，并延伸到覆盖接近的第三主面5c的第一绝缘膜13(13c)的延长部分上。

半导体层5包含发光层，该半导体层5以基板为支撑体来形成，并在形成后通过激光照射而将基板剥离(激光剥离)。半导体层5的第三主面5c是连接第一主面5a和第二主面5b的面。第三主面5c除了与第一主面5a或第二主面5b垂直设置的情况以外，还包括倾斜设置的情况。

覆盖第三主面5c的第一绝缘膜13c可以透射上述激光。因此，第一绝缘膜13c的厚度(沿着与第三主面5c垂直方向的厚度)t被设为大于等于上述激光的波长。

作为激光，例如，可以使用ArF激光(波长：193nm)、KrF激光(波长：248nm)、XeCl激光(波长：308nm)、XeF激光(波长：353nm)。因此，第一绝缘膜13c的厚度t形成为大于等于上述激光的波长。