[发明专利]发光结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明主要涉及发光结构与其制造方法，此发光结构包含半导体发光元件与电极。其电极形成凹面，可将半导体发光元件所发出的光加以反射，进而提升半导体发光元件的出光效率。透过本发明的制造方法，可以更有效率的完成封装与波长转换材料涂布的工艺。

背景技术

目前常见的发光结构工艺是将如发光二极管的发光元件在完成外延工艺后，透过切割的方式形成单一的管芯，接着再将管芯个别安置在次载体上，此次载体可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以进行引线、焊接、荧光粉覆盖与后续封装工艺。由于上述的工艺需要多道步骤完成，不仅耗时，且大幅增加生产成本。

发明内容

本发明提供一种发光结构，其包含半导体发光元件，此半导体发光元件包含第一接点与第二接点。上述的发光结构又包括第一电极电连接第一接点与第二电极电连接第二接点，且第一电极与第二电极形成凹面。其中半导体发光元件位于凹面内。

本发明又披露一种发光结构的制造方法，其步骤至少包括：提供载板，提供多个半导体发光元件于载板上；形成表面为曲面的胶层于半导体发光元件的侧壁；与形成金属层于胶层上。金属层在胶层上形成相应的曲面，并进一步形成第一电极与第二电极。去除胶层与载板使得第一电极与第二电极所形成的凹面可反射半导体发光元件所射出的光线。

附图说明

图1A-1G显示为本发明实施例的制造流程；

图2为本发明实施例；

图3为本发明的又一实施例；

图4A-4G显示为本发明又一实施例的制造流程；

附图标记说明

10：载板；

20：半导体发光元件；

30：胶层；

50：发光结构；

60：波长转换层；

70：封装层；

200：第一表面；

201：第一接点；

202：第二接点；

204：走道区；

400a：第一电极；

400b：第二电极；

402：沟槽；

405：凹面；

具体实施方式

本发明揭示一种发光结构及其制作方法。图1A至图1G为根据本发明实施例制造流程的结构示意图。如图1A所示，提供载板10，在载板10上有多个半导体发光元件20。半导体发光元件20之间有走道区204。上述多个半导体发光元件20可发出具有相同或不同波长的光，其发光范围可从紫外光至红外线。半导体发光元件20可为发光二极管，包含第一表面200，其中第一表面200至少包含第一接点201与第二接点202可将电流传至半导体发光元件20中使其发光。载板10可为半导体发光元件20的生长基板，例如蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)或砷化镓(GaAs)等，多个半导体发光元件20可透过已知的半导体生长技术形成在载板10上。

接着，如图1B所示，形成胶层30于走道区204。此胶层30主要形成于半导体发光元件20的侧壁并形成表面301。其中上述胶层30可以利用旋转涂布、印刷或铸模灌胶等方式形成，且胶层30的材料可为弹性材料，例如为硅橡胶(silicone rubber)、硅树脂(silicone resin)、硅胶、弹性聚氨酯(PU)、多孔聚氨酯(PU)、丙烯酸橡胶(acrylic rubber)或管芯切割胶，如蓝膜或紫外(UV)胶。胶层30形成的过程中可能会有部分覆盖半导体发光元件20的第一接点201与第二接点202，此时，可如图1C所示以抛光工艺(polishprocess)，将覆盖半导体发光元件20的部分胶层30移除，露出半导体发光元件20的第一接点201与第二接点202。

随后，如图1D所示，形成金属层40于胶层30与半导体发光元件20上。此金属层40可以利用电镀、蒸镀或溅镀等方式形成，且金属层40的材料可选自铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)或其合金等具导电性并高反射率的材料。由于金属层40形成时乃是依循其下方组成物的形状，因此，在胶层30上的金属层40会沿着胶层30的表面301形成相应面401，并与半导体发光元件20的第一接点201与第二接点202接触。其中该相应面401可为曲面、斜面、或部分曲面与部分斜面的组合。