[发明专利]薄片状粘接剂及晶片加工用胶带无效

专利信息
申请号: 201010283488.5 申请日: 2010-09-14
公开(公告)号: CN102070991A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 石黑邦彦;盛岛泰正;石渡伸一 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: C09J7/00 分类号: C09J7/00;C09J133/00;C09J163/00;C09J7/02;H01L21/68
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘建
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄片 状粘接剂 晶片 工用 胶带
【说明书】:

技术领域

本发明涉及薄片状粘接剂及晶片加工用胶带。

背景技术

半导体装置的制造工序中,实施下述工序:将半导体晶片切断分离(切割)成半导体芯片单元的工序;拾取(pick up)分离后的半导体芯片的工序;以及将拾取的半导体芯片粘接于引线框或封装基板等的管芯焊接(装配)工序。

近年,作为用于上述半导体装置的制造工序的晶片加工用胶带,例如提出了在基材膜上设置了粘贴剂层的晶片加工用胶带、或具有在粘贴剂层上进一步层叠了粘接剂层的结构的晶片加工用胶带(切割管芯焊接薄膜:DDF),并已实际应用。

此处,像FOW(Film on Wire)系半导体装置那样,在粘接剂层接触半导体芯片的导通用电线的情况下,导通用电线被处于粘接剂层内部的离子性杂质腐蚀,有时会发生电路短路。为了解决上述问题,提出了减轻粘接剂层内部的离子性杂质的量的方法或添加离子捕获剂的方法(参见专利文献1)。

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2007-63549号公报

发明内容

但是,在上述减轻粘接剂层内部的离子性杂质的量的方法中,有为了减少离子性杂质的量而花费大量成本的问题。另外,专利文献1所述的粘接剂层中,通过添加无机系离子捕获剂来抑制金属腐蚀,但由于该方法中粘接剂层的粘接力降低,所以必须使用粘接力提高剂,从而有制造成本增加的问题。另外,无机系离子捕获剂本身有给导通用电线带来物理性损坏的问题,即导通用电线埋入粘接剂层时有无机系离子捕获剂与导通用电线接触而使导通用电线变形的问题。

为此,本发明是为了解决上述问题而得到的,目的在于提供半导体芯片与引线框或封装基板等之间的粘接力优异、且能捕获粘接剂层内部的离子性杂质的薄片状粘接剂,及使用该薄片状粘接剂制作的晶片加工用胶带以及使用该薄片状粘接剂制作的半导体装置。

本发明人等对上述课题进行了潜心研究,结果发现作为薄片状粘接剂组合物,含有螯合物改性环氧树脂,可以制作能捕获薄片状粘接剂内部的离子性杂质的薄片状粘接剂。另外,通过使用该薄片状粘接剂,可以制作能捕获粘接剂层内部的离子性杂质的晶片加工用胶带。还发现通过使用该薄片状粘接剂,可以制作导通性优异且抑制离子性杂质导致的金属腐蚀的耐湿性及高温放置特性优异的FOW系半导体装置,从而完成了本发明。

即,本发明第1方案的薄片状粘接剂的特征在于,作为固化树脂成分,含有被热或高能量射线固化的固化树脂和使环氧基固化的环氧固化剂,其中,所述固化树脂的一部分或全部是螯合物改性环氧树脂,所述固化树脂成分中含有10质量%以上所述螯合物改性环氧树脂,相对于100质量份所述固化树脂成分量,含有40~100质量份重均分子量为10万以上的高分子量化合物成分量。

本发明第2方案的薄片状粘接剂的特征在于,在本发明第1方案的薄片状粘接剂中,所述高分子量化合物成分是丙烯酸树脂共聚物。

本发明第3方案的薄片状粘接剂的特征在于,在上述本发明的第1或第2方案的薄片状粘接剂中,相对于所述薄片状粘接剂的总量,以40~70质量%的比例含有无机填充剂。

本发明第1方案的晶片加工用胶带的特征在于,具有在基材膜上层叠有粘贴剂层的粘贴膜,上述本发明的第1至3中任一个方案的薄片状粘接剂层叠于所述粘贴膜的所述粘贴剂层。

本发明第1方案的半导体装置的特征在于,使用上述本发明的第1至3中任一个方案的薄片状粘接剂来制作。

根据本发明,可以制作能捕获薄片状粘接剂内部的离子性杂质的薄片状粘接剂。另外,通过使用该薄片状粘接剂,可以制作能捕获薄片状粘接剂内部的离子性杂质的晶片加工用胶带。另外,与用减少离子性杂质的方法或添加离子捕获剂的方法制作的薄片状粘接剂及晶片加工用胶带相比,可以廉价地制作本发明的该薄片状粘接剂及该晶片加工用胶带。另外,通过使用该薄片状粘接剂,可以制作导通性优异且抑制离子性杂质导致的金属腐蚀的耐湿性及高温放置特性优异的FOW系半导体装置。另外,通过减少高分子量化合物成分来柔化薄片状粘接剂,在FOW系半导体装置的制造工序中,可以在薄片状粘接剂中容易地埋入导通用电线。

附图说明

【图1】是表示本发明的一个实施方案的使用了薄片状粘接剂12的粘接膜的截面图。

【图2】是表示发明的一个实施方案的晶片加工用胶带的截面图。

【图3】是表示发明的一个实施方案的FOW系半导体装置的截面图。

符号说明

10:晶片加工用胶带

11:脱模膜

12:粘接剂层

13:粘贴膜

13a:基材膜

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