[发明专利]电子封装、用于电子装置的散热结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于电子装置的散热结构，包括：

一主体，具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面；

一含硅绝缘层，设置于该主体的该第一表面上；

一超纳米结晶钻石薄膜，设置于该含硅绝缘层上；以及

一第一导电图案层，设置于该含硅绝缘层上且被该超纳米结晶钻石薄膜包围，其中该超纳米结晶钻石薄膜与该第一导电图案层在上视方向彼此不重迭。

2.如权利要求1所述的用于电子装置的散热结构，其中该主体为一电路板或一封装基板。

3.如权利要求1所述的用于电子装置的散热结构，其中该主体为一半导体芯片，且其内具有至少一半导体元件及电性连接该半导体元件的至少一内联线结构。

4.如权利要求3所述的用于电子装置的散热结构，其中该第一导电图案层电性连接至该内联线结构。

5.如权利要求1所述的用于电子装置的散热结构，还包括一第二导电图案层，设置于该主体的该第二表面上。

6.如权利要求5所述的用于电子装置的散热结构，其中该主体内具有至少一通孔电极，其电性连接于该第一导电图案层与该第二导电图案层之间。

7.如权利要求6所述的用于电子装置的散热结构，其中该通孔电极自该主体的该第二表面延伸至该第一导电图案层内。

8.如权利要求6所述的用于电子装置的散热结构，其中该通孔电极与该主体之间具有一绝缘层，使该通孔电极与该主体电性绝缘。

9.如权利要求8所述的用于电子装置的散热结构，其中该绝缘层包括：氮化硅、二氧化硅或超纳米结晶钻石。

10.如权利要求1所述的用于电子装置的散热结构，其中该第一导电图案层包括至少一阻挡材料层。

11.如权利要求1所述的用于电子装置的散热结构，其中该含硅绝缘层包括氮化硅、四乙基酸盐氧化物或二氧化硅。

12.一种电子封装，包括：

如权利要求1所述的散热结构；以及

一电子装置，设置于该超纳米结晶钻石薄膜或该第一导电图案层上，且电性连接至该第一导电图案层。

13.如权利要求12所述的电子封装，其中该电子装置通过至少一接线或至少一凸块而电性连接至该第一导电图案层。

14.如权利要求12所述的电子封装，其中该电子装置包括发光二极管芯片或半导体芯片。

15.一种用于电子装置的散热结构的制造方法，包括：

提供一主体，其具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面；

在该主体的该第一表面上形成一含硅绝缘层；以及

在该含硅绝缘层上形成一第一导电图案层及一超纳米结晶钻石薄膜，其中该第一导电图案层被该超纳米结晶钻石薄膜包围，且该超纳米结晶钻石薄膜与该第一导电图案层在上视方向彼此不重迭。

16.如权利要求15所述的用于电子装置的散热结构的制造方法，其中该主体为一电路板或一封装基板。

17.如权利要求15所述的用于电子装置的散热结构的制造方法，其中该主体为一半导体芯片，且其内具有至少一半导体元件及电性连接该半导体元件的至少一内联线结构。

18.如权利要求17所述的用于电子装置的散热结构的制造方法，其中该第一导电图案层电性连接至该内联线结构。

19.如权利要求15所述的用于电子装置的散热结构的制造方法，其中形成该第一导电图案层包括：

在该含硅绝缘层上形成一阻挡材料层；

在该阻挡材料层上形成一光刻胶层，其中该光刻胶层内具有一开口图案；

在该开口图案内填入一导电层；以及

依序去除该光刻胶层及位于该光刻胶层下方的该阻挡材料层，以形成该第一导电图案层。